ZHCSYH3A June 2025 – November 2025 TXG1020 , TXG1021
PRODUCTION DATA
标准 CMOS 输入为高阻抗,通常建模为与输入电容并联的电阻器,如节 5.5 中所示。最坏情况下的电阻是根据节 5.1中给出的最大输入电压和节 5.5中给出的最大输入漏电流,使用欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出的。
施密特触发输入架构可提供由节 5.5中的 ΔVT 定义的迟滞,因而此器件能够很好地耐受慢速或高噪声输入。较慢地驱动输入会增加器件的动态电流消耗。有关施密特触发输入的更多信息,请参阅了解施密特触发。