ZHCSY33A April   2025  – September 2025 TPUL2G123

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2.   2
  3. 1 特性
  4. 2 应用
  5. 3 说明
  6. 4 引脚配置和功能
  7. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序特性
    7.     14
    8. 5.7 开关特性
    9. 5.8 典型特性
  8. 6 参数测量信息
  9. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
      1. 7.1.1 状态机说明
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 命名约定
      2. 7.3.2 可重触发单稳态触发器
      3. 7.3.3 时序机制和精度
      4. 7.3.4 平衡 CMOS 推挽式输出
      5. 7.3.5 CMOS 施密特触发输入
      6. 7.3.6 具有已知上电状态的锁存逻辑
      7. 7.3.7 局部断电 (Ioff)
      8. 7.3.8 钳位二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断状态运行
      2. 7.4.2 启动操作
      3. 7.4.3 导通状态运行
  10. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用 - 边沿检测器
      1. 8.2.1 设计要求
        1. 8.2.1.1 时序元件
        2. 8.2.1.2 输入注意事项
        3. 8.2.1.3 输出注意事项
        4. 8.2.1.4 电源注意事项
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 典型应用 - 延迟脉冲发生器
      1. 8.3.1 应用曲线
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  11. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  12. 10修订历史记录
  13. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.5 CMOS 施密特触发输入

此器件包括具有施密特触发架构的输入。这些输入为高阻抗，通常建模为从输入到地之间、与输入电容（电容值在电气特性 表中规定）并联的电阻器。最坏情况下的电阻是使用绝对最大额定值 表中给出的最大输入电压和电气特性 表中给出的最大输入漏电流，根据欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出的。

施密特触发输入架构可提供由电气特性 表中的 ΔVT 定义的迟滞，因而此器件能够很好地耐受慢速或高噪声输入。虽然输入的驱动速度可能比标准 CMOS 输入慢得多，但仍建议正确端接未使用的输入。使用缓慢转换的信号驱动输入将增加器件的动态电流消耗，每个输入的最大值均在电气特性 表中定义为 ΔICC。有关施密特触发输入的其他信息，请参阅了解施密特触发。

在运行期间，任何时候都不要让输入悬空。未使用的输入必须在有效的高或低电压电平下进行端接。如果系统并非一直主动驱动输入，则可以添加上拉或下拉电阻器，以在这些时间段提供有效的输入电压。电阻值将取决于多种因素；但建议使用 10kΩ 电阻器，这通常可以满足所有要求。