ZHCSY90 May   2025 TPS7H6101-SEP

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 时序测量
    2. 7.2 死区时间测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  栅极驱动器输入电压
      2. 8.3.2  线性稳压器运行
      3. 8.3.3  自举运行
        1. 8.3.3.1 自举充电方法
        2. 8.3.3.2 自举电容器
        3. 8.3.3.3 自举二极管
        4. 8.3.3.4 自举电阻
      4. 8.3.4  高侧驱动器启动
      5. 8.3.5  PWM_LI 和 EN_HI
      6. 8.3.6  死区时间
      7. 8.3.7  输入互锁保护
      8. 8.3.8  欠压锁定和电源正常 (PGOOD)
      9. 8.3.9  SW 负电压瞬变
      10. 8.3.10 电平转换器
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 自举电容器和旁路电容器
        2. 9.2.2.2 自举二极管
      3. 9.2.3 应用结果
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • NPR|64
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.9 SW 负电压瞬变

尽管增强模式 GaN FET 不像硅 FET 那样包含体二极管，但由于采用对称器件结构，这些器件能够反向导通。在反向导通期间，集成式 GaN FET 的源漏电压通常为 2.1V，高于传统硅 FET 中的源漏电压。因此，驱动器的开关节点引脚（SW_HS 和 SW_LS 在外部连接在一起，统称为 SW）存在负电压。由于 BOOT 始终以 SW 为基准，所以这种负瞬变可能会导致自举电压过大。此外，印刷电路板布局布线和器件寄生电感可以进一步加强负电压瞬变。建议的自举电路实现方式有助于降低 BOOT 到 SW 负电压过大的可能性。在高于绝对最大值 16V 的自举电压下运行可能会对栅极驱动器产生不利影响，因此必须注意确保不超过 BOOT 至 SW 的最大电压差。通常，BOOT 瞬间追随 SW，以免 BOOT 至 SW 电压显著过冲。但是，为了进一步确保 Boot 引脚上不存在过大的电压，可以在 BOOT 和 SW 之间使用外部齐纳二极管，从而在运行期间将自举电压钳位到可接受的值。