ZHCSEJ1 December   2015 TPS7H3301-SP

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 说明 （续）
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 VO Sink/Source Regulator
      2. 8.3.2 Reference Input (VDDQSNS)
      3. 8.3.3 Reference Output (VTTREF)
      4. 8.3.4 EN ControL (EN)
      5. 8.3.5 PowerGood Function (PGOOD)
      6. 8.3.6 VO Current Protection
      7. 8.3.7 VIN UVLO Protection
      8. 8.3.8 Thermal Shutdown
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 VIN/VDD Capacitor
        2. 9.2.2.2 VLDO Input Capacitor
        3. 9.2.2.3 VTT Output Capacitor
        4. 9.2.2.4 VTTSNS Connection
        5. 9.2.2.5 Low VIN Applications
        6. 9.2.2.6 S3 and Pseudo-S5 Support
        7. 9.2.2.7 Tracking Startup and Shutdown
        8. 9.2.2.8 Output Tolerance Consideration for VTT DIMM Applications
        9. 9.2.2.9 LDO Design Guidelines
      3. 9.2.3 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 Thermal Considerations
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 Third-Party Products Disclaimer
    2. 12.2 社区资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • QML V 类符合 5962-14228(1)(2)
    • 总电离剂量为 100krad (Si)
      • 高剂量率 (HDR) (50-100 rad(Si)/s)
      • 低剂量率 (LDR) (0.01 rad(Si)/s)
    • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子栅穿 (SEGR)、单粒子烧毁 (SEB) 对于线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 65MeV-cm2/mg
    • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子功能中断 (SEFI)、单粒子翻转 (SEU) 的抗扰度为 65MeV-cm2/mg（详细信息请参见辐射报告）
  • 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3LP 和 DDR4 终端 应用 并兼容 JEDEC 标准
  • 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨(3)
  • 独立低电压输入 (VLDOIN) 降至
    0.9V 以改善电源效率(3)
  • 具有压降补偿功能的 3A 灌电流/拉电流终端稳压器
  • 用于电源排序的使能输入和电源正常输出
  • VTT 终端稳压器
    • 输出电压范围：0.5V 至 1.75V
    • 3A 灌电流和拉电流
    • 精度为 ±20mV
  • 具有感测输入的精密集成分压器网络
  • 远程感测 (VOSNS)
  • VTTREF 缓冲参考输出
    • 精度为 VDDQ/2 ± 1%
    • ±10mA 灌/拉电流
  • 集成了内置软启动 (SS)、欠压锁定 (UVLO) 以及过流限制 (OCL) 功能

2 应用

  • 采用 DDR、DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 和 DDR4 存储器的 单电路板计算机、固态记录器和载荷 应用
  • 超快速瞬态电源 应用
  • 支持军用温度范围（-55°C 至 125°C）
  • 提供工程评估 (/EM) 组件(4)

3 说明

TPS7H3301-SP 是一款内置 VREF 的 TID 和单粒子效应 (SEE) 抗辐射加固型双倍数据速率 (DDR) 3A 终端稳压器。该稳压器专门用于为空间 DDR 终端应用 （如单电路板计算机、固态记录器和载荷处理应用） 提供一套完整的紧凑型、低噪声解决方案。

TPS7H3301-SP 支持并兼容 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 以及相关的低功耗 JEDEC 规范。凭借快速瞬态响应，TPS7H3301-SP VTT 稳压器可在读取/写入状态下提供稳定性较高的电源。TPS7H3301-SP 还包含一个内置的 VREF 电源。该电源可跟踪 VTT 以进一步缩减解决方案尺寸。在瞬态变化过程中，VREF 电源的快速跟踪功能能够最大限度地降低 VTT 和 VREF 之间的电压偏移。请参见说明 （续）。

器件信息(1)(2)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS7H3301-SP CFP (16) 9.60mm x 11.00mm
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
  2. 抗辐射加固保障 (RHA) 当前可达 100krad；详细信息请联系制造商。
  3. 适用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 DDR 的标称输入电压 = 3.3V。VINDDR1 的 为 2.95V 至 3.5V，所有 DDR 的 VLDOIN > VTT。
    DDR2 3A 负载条件下的 Vin 为 2.45V 至 3.5V。
    Vin 余量：Vin_min ≥ VTT + 1.5V
  4. 这些部件仅用于工程评估。以非合规性流程对其进行了处理（即未进行老化处理等操作）并且仅在 25°C 的额定温度下进行了测试。这些部件不适用于质检、生产、辐射测试或飞行。这些零部件无法在 –55°C 至 125°C 的完整 MIL 额定温度范围内或运行寿命中保证其性能。

标准 DDR 应用

TPS7H3301-SP ddr_app2_slvscj5.gif

4 修订历史记录

日期 修订版本 注释
2015 年 12 月 * 最初发布版本