ZHCSUN6B April   2025  – May 2026 TPS7H3024-SP , TPS7H3034-SP , TPS7H3124-SP , TPS7H3134-SP

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 质量合格检验
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 输入电压 (IN)、VLDO 和 REFCAP
        1. 8.3.1.1 欠压锁定 (VPOR_IN < VIN < UVLO)
        2. 8.3.1.2 上电复位 (VIN < VPOR_IN)
      2. 8.3.2 SR_UVLO
      3. 8.3.3 SENSEx 输入
        1. 8.3.3.1 VTH_SENSEX 和 VOUTx_RISE
        2. 8.3.3.2 IHYS_SENSEx 和 VOUTx_FALL
        3. 8.3.3.3 输入到输出时序图
        4. 8.3.3.4 顶部和底部电阻分压器设计公式
      4. 8.3.4 模式
      5. 8.3.5 输出级（RESETx、PWRGD、WDO、PULL_UP1 和 PULL_UP2）
        1. 8.3.5.1 推挽输出
        2. 8.3.5.2 开漏输出（TPS7H3124 和 TPS7H3134）
      6. 8.3.6 WDI
      7. 8.3.7 用户可编程 TIMERS
        1. 8.3.7.1 DLY_TMR
        2. 8.3.7.2 WD_TMR
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 窗口电压监控
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 输入电源和去耦电容器
          2. 9.2.1.2.2 SR_UVLO 阈值
          3. 9.2.1.2.3 SENSEx 阈值
        3. 9.2.1.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 器件比较表

通用器件型号 输出类型 功能 辐射等级(1) 等级(2) 封装 可订购器件型号
TPS7H3024-SP 推挽 2 UV +
2 OV
（或 2 个窗口）		 TID 为 100krad(Si) RLAT，
不考虑 DSEE 的影响为 75MeV-cm2/mg		 QMLV-RHA 22 引脚 CFP
HFT		 5962R2420601VXC
无 工程模型(3) TPS7H3024HFT/EM
TPS7H3124-SP 漏极开路 TID 为 100krad(Si) RLAT，
不考虑 DSEE 的影响为 75MeV-cm2/mg		 QMLV-RHA 5962R2420602VXC(4)
无 工程模型(3) TPS7H3124HFT/EM(4)
TPS7H3034-SP 推挽 4 UV（或 4 OV） TID 为 100krad(Si) RLAT，
不考虑 DSEE 的影响为 75MeV-cm2/mg		 QMLV-RHA 5962R2420603VXC(4)
无 工程模型(3) TPS7H3034HFT/EM(4)
TPS7H3134-SP 漏极开路 TID 为 100krad(Si) RLAT，
不考虑 DSEE 的影响为 75MeV-cm2/mg		 QMLV-RHA 5962R2420604VXC(4)
无 工程模型(3) TPS7H3134HFT/EM(4)
(1) TID 是总电离剂量，DSEE 是破坏性单粒子效应。每个产品的关联 TID 报告和 SEE 报告中提供了额外信息。
(2) 有关器件等级的其他信息，请查看 TI 器件等级。
(3) 这些器件仅适用于工程评估。器件是按照非合规流程处理的（例如：未进行老化处理，仅在 25°C 下测试）。该等器件并非设计用于鉴定、量产、辐射测试或飞行。器件在温度范围以外或超过使用寿命时的性能未指定。
(4) 高级信息。