ZHCSBR4A April 2014 – June 2014 TPS7A8101-Q1
PRODUCTION DATA.
TPS7A8101-Q1 低压降线性稳压器 (LDO) 在输出噪声情况下可提供极佳的性能和电源抑制比 (PSRR)。 这款 LDO 使用一个先进的双极 CMOS (BiCMOS) 工艺和一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (PMOSFET) 无源器件来实现极低噪音、出色瞬态响应和极佳的 PSRR 性能。
TPS7A8101-Q1 器件与 4.7μF 陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定,并使用一个精确电压基准和反馈环路在所有负载、线路、过程和温度变化范围内实现至少 3% 的精度。
这款器件在 TA = -40°C 至 +125°C 的温度范围完全额定运行,并采用装有散热焊盘的
3mm x 3mm SON-8 封装。