ZHCSVM9E June   1999  – January 2025 TPS770

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息（新芯片）
    5. 5.5 热性能信息（旧芯片）
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
    8. 5.8 典型特性：支持的 ESR 范围
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出使能
      2. 6.3.2 压降电压
      3. 6.3.3 电流限值
      4. 6.3.4 欠压锁定 (UVLO)
      5. 6.3.5 输出下拉电阻
      6. 6.3.6 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 可调器件反馈电阻器
        2. 7.2.2.2 建议的电容器类型
        3. 7.2.2.3 输入和输出电容器要求
        4. 7.2.2.4 反向电流
        5. 7.2.2.5 前馈电容器 (CFF)
        6. 7.2.2.6 功率耗散 (PD)
        7. 7.2.2.7 估算结温
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
        3. 8.1.1.3 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.6 电气特性

规定 TJ = –40°C 至 125°C、VIN = VOUT(nom) + 1.0V 或 VIN = 2.5V（以较大者为准）、IOUT = 10µA、EN = 0V、CIN = 1.0µF、COUT = 4.7µF（除非另有说明）；典型值在 TJ = 25ºC 条件下测得
参数测试条件最小值典型值最大值单位
VOUT输出电压可调节，旧芯片1.2V ≤ VOUT ≤ 5.5V，10µA ≤ IOUT ≤ 100mA，TJ = 25°CVOUTV
1.2V ≤ VOUT ≤ 5.5V，10µA ≤ IOUT ≤ 100mA0.97 × VOUT1.03 × VOUT
固定，旧芯片10µA ≤ IOUT ≤ 100mA，TJ = 25°C，VOUT(nom) + 1V < VIN < 10VVOUT
10µA ≤ IOUT ≤ 100mA，VOUT(nom) + 1V < VIN < 10V0.97 × VOUT1.03 × VOUT
新芯片10µA ≤ IOUT ≤ 100mA，VOUT(nom) + 1V < VIN < 16V0.988 × VOUT1.012 × VOUT
VFB反馈电压旧芯片1.224V
新芯片1.2
IQ静态电流（GND 电流）旧芯片EN = 0V，0mA < IOUT < 100mA，TJ = +25°C17µA
EN = 0V，IOUT = 100mA28
新芯片EN = 0V，IOUT = 0mA（可调节）5080
EN = 0V，IOUT = 0mA（固定）5595
EN = 0V，IOUT = 100mA620
ΔVOUT(ΔVOUT)输出电压线性调整率 (ΔVOUT/VOUT)旧芯片VOUT(NOM) +1.0V ≤ VIN ≤ 10V，IOUT = 100mA，TJ = 25℃0.040.07%/V
0.1
新芯片VOUT(NOM) +1.0V ≤ VIN ≤ 16V，IOUT = 10µA0.032
ΔVOUT(ΔIOUT)输出电压负载调整率旧芯片0mA ≤ IOUT ≤ 100mA，TJ = 25°C12mV
新芯片20
Vn输出噪声电压旧芯片BW = 300Hz 至 50kHz，COUT = 10µF，TJ = 25℃190µVRMS
新芯片BW = 300Hz 至 50kHz，IOUT = 100mA，COUT = 4.7µF165
BW = 10Hz 至 100kHz，IOUT = 100mA，COUT = 4.7µF195
TSD(shutdown)热关断温度新芯片温度升高173ºC
TSD(reset)热关断复位温度新芯片温度下降157ºC
ICL输出电流限制旧芯片VOUT = 0V350750mA
新芯片370450
ISTANDBY待机电流旧芯片EN = VIN，2.7V < VIN < 10V1µA
EN = VIN，2.7V < VIN < 10V2
新芯片EN = VIN，2.5V < VIN < 16V0.9
EN = VIN，2.5V < VIN < 16V2.75
IFB反馈引脚电流旧芯片VFB = 1.224V-11µA
新芯片VFB = 1.2V-0.10.1µA
EN高电平使能输入电压旧芯片2.7V ≤ VIN ≤ 10V1.7V
低电平使能输入电压0.9
高电平使能输入电压新芯片2.5V ≤ VIN ≤ 16V1.6
低电平使能输入电压0.415
PSRR电源纹波抑制旧芯片IOUT = 100mA，f = 1kHz，COUT = 10µF，TJ = 25 ℃60dB
新芯片IOUT = 100mA，f = 1kHz，COUT = 4.7µF，TJ = 25 ℃58
IEN输入电流 (EN)旧芯片EN = 0V-101µA
EN = VIN-11
新芯片EN = 0V-0.75-0.40.02
EN = 6V-0.010.01
VDO压降电压TPS76928（旧芯片）IOUT = 50mA60mV
IOUT = 50mA，TJ = –40℃ 至 125℃125
IOUT = 100mA122
IOUT = 100mA，TJ = –40℃ 至 125℃245
TPS76928（新芯片）IOUT = 50mA120
IOUT = 50mA，TJ = –40℃ 至 125℃184
IOUT = 100mA150
IOUT = 100mA，TJ = –40℃ 至 125℃218
TPS76930（旧芯片）IOUT = 50mA57
IOUT = 50mA，TJ = –40℃ 至 125℃115
IOUT = 100mA115
IOUT = 100mA，TJ = –40℃ 至 125℃230
TPS76930（新芯片）IOUT = 50mA120
IOUT = 50mA，TJ = –40℃ 至 125℃184
IOUT = 100mA150
IOUT = 100mA，TJ = –40℃ 至 125℃218
TPS76933（旧芯片）IOUT = 50mA48
IOUT = 50mA，TJ = –40℃ 至 125℃100
IOUT = 100mA98
IOUT = 100mA，TJ = –40℃ 至 125℃200
TPS76933（新芯片）IOUT = 50mA120
IOUT = 50mA，TJ = –40℃ 至 125℃184
IOUT = 100mA150
IOUT = 100mA，TJ = –40℃ 至 125℃218
TPS76950（旧芯片）IOUT = 50mA35
IOUT = 50mA，TJ = –40℃ 至 125℃85
IOUT = 100mA71
IOUT = 100mA，TJ = –40℃ 至 125℃170
TPS76950（新芯片）IOUT = 50mA120
IOUT = 50mA，TJ = –40℃ 至 125℃184
IOUT = 100mA150
IOUT = 100mA，TJ = –40℃ 至 125℃218
VUVLO+上升辅助电源 UVLOTPS769（新芯片）VIN 上升，–40℃ ≤ TJ ≤ 125℃2.22.4V
VUVLO–下降辅助电源 UVLOVIN 下降，–40℃ ≤ TJ ≤ 125℃1.92.07
VUVLO(HYST)UVLO 迟滞–40°C ≤ TJ ≤ 125°C0.130