ZHCSVM9E June 1999 – January 2025 TPS770
PRODUCTION DATA
尽管不需要输入电容器来实现稳定性,但良好的模拟设计实践是将电容器从 IN 连接到 GND。该电容可抵消电抗性输入源,并改善瞬态响应、输入纹波和 PSRR。如果源阻抗大于 0.5Ω,请使用输入电容器。如果预计会有较大且快速的上升时间负载或线路瞬变,请使用更高容值的电容。此外,如果器件距离输入电源几英寸,请使用容值更高的电容器。
与大多数低压降稳压器一样,TPS770 需要在 OUT 和 GND 之间连接一个输出电容器,以稳定内部控制环路。
对于旧芯片,该器件需要在 OUT 和 GND 之间连接一个输出电容器,以稳定内部控制环路。建议的最小电容为 4.7µF。确保电容器的等效串联电阻 (ESR) 介于 0.2Ω 和 10Ω 之间,以提供稳定性。大于 4.7µF 的电容值是可接受的,并且允许使用更小的 ESR 值。不建议使用小于 4.7µF 的电容,因为这些元件需要仔细选择 ESR 来提供稳定性。固态钽电解电容器、铝电解电容器和多层陶瓷电容器都适用,前提是这些电容器满足所述的要求。市售 4.7µF 表面贴装固态钽电容器(包括 Sprague、Kemet 和 Nichico 的器件)大多符合上述 ESR 要求(已在表 7-3中列出)。多层陶瓷电容器可能具有非常小的等效串联电阻,因此需要添加一个低值串联电阻器来提供稳定性。
| 器件型号 | 制造商 | 值 | 最大 ESR(1) | 大小 (H × L × W)(1) |
|---|---|---|---|---|
| T494B475K016AS | KEMET | 4.7μF | 1.5Ω | 1.9 × 3.5 × 2.8 |
| 195D106x0016x2T | SPRAGUE | 10μF | 1.5Ω | 1.3 × 7.0 × 2.7 |
| 695D106x003562T | SPRAGUE | 10μF | 1.3Ω | 2.5 × 7.6 × 2.5 |
| TPSC475K035R0600 | AVX | 4.7μF | 0.6Ω | 2.6 × 6.0 × 3.2 |
对于新芯片,该器件被设计为在输入和输出端使用低 ESR 陶瓷电容器实现稳定性。最小建议电容值为 2.2μF,ESR 范围高达 2Ω。支持的 ESR 范围取决于输出电容、工作结温和负载电流条件。
通过使用输出电容器来提升器件的动态性能。为确保稳定性,请使用建议运行条件 表中指定范围内的输出电容器。