ZHCSKA4C December   2008  – March 2025 TPS737-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出噪声
      2. 6.3.2 内部电流限制
      3. 6.3.3 使能引脚和关断
      4. 6.3.4 反向电流
      5. 6.3.5 热保护
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入和输出电容器要求
        2. 7.2.2.2 压降电压
        3. 7.2.2.3 瞬态响应
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 提高 PSRR 和噪声性能
        2. 7.4.1.2 功率耗散
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.1 输出噪声

一个精准带隙基准用于生成内部基准电压 (VREF)。这个基准是 TPS737-Q1 内的主要噪声源并且在基准输出 (NR) 上产生大约 32µVRMS（10Hz 至 100kHz）。稳压器控制环路会增加基准噪声的增益，并且该增益与基准电压相同。因此，稳压器的噪声电压大致由 方程式 1 给出。

方程式 1. TPS737-Q1

由于 VREF 的值为 1.2V，当不使用 CNR 时，这个关系可简化为以下公式。

方程式 2. TPS737-Q1

要为电压基准形成低通滤波器，请在 NR 到接地 (CNR) 之间连接一个外部降噪电容器 (CNR)。内部 27kΩ 电阻器与电压基准和降噪引脚 (NR) 串联。CNR = 10nF 时，10Hz 至 100kHz 带宽内的总噪声被减少了大约 3.2 倍。因此，方程式 3 中给出了 CNR =10nF 时的近似关系。

方程式 3. TPS737-Q1

图 5-33 中给出了这种降噪效果。

TPS737-Q1 使用内部电荷泵来生成内部电源电压。生成的电源电压足以驱动 NMOS 导通晶体管的栅极，使其电压高于 VOUT。电荷泵在大约 4MHz 时会产生大约 250µV 的开关噪声。然而，对于大多数 Iout 和 Cout 值，稳压器输出端的电荷泵噪声影响可以忽略不计。