ZHCSYR2D April   2006  – August 2025 TPS73601-EP , TPS73615-EP , TPS73618-EP , TPS73625-EP , TPS73630-EP , TPS73632-EP , TPS73633-EP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 功耗额定值
    3. 5.3 电气特性
    4. 5.4 典型特性
  7. 6 功能方框图
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1  输入和输出电容器要求
      2. 7.1.2  输出噪声
      3. 7.1.3  对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
      4. 7.1.4  内部电流限制
      5. 7.1.5  关断
      6. 7.1.6  压降电压
      7. 7.1.7  瞬态响应
      8. 7.1.8  反向电流
      9. 7.1.9  热保护
      10. 7.1.10 功率耗散
      11. 7.1.11 封装
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1.6 压降电压

TPS736xx-EP 使用一个 NMOS 导通晶体管来实现极低压降。当 (VIN – VOUT) 低于压降电压 (VDO) 时，NMOS 导通器件处于其运行的线性区域并且输入到输出电阻是 NMOS 导通元件的 RDS-ON。

对于负载电流的较大阶跃变化，TPS736xx-EP 需要从 VIN 到 VOUT 的更大压降，以避免降低瞬态响应性能。这个瞬变压降区域的边界大约为 dc 输出的两倍。在这个边界之上的 VIN – VOUT 的值可确保正常瞬态响应。

在瞬态压降区域内运行会增加恢复时间。从一个负载瞬态中恢复所需的时间是负载电流速率变化幅度、负载电流的变化速率、和可用动态空间（VIN 至 VOUT 压降）的函数。在最差情况下 [(VIN – VOUT) 的满标度瞬时负载变化接近 DC 压降水平]，TPS736xx-EP 可在几百毫秒内返回特定的调节精度。