ZHCSD88B October   2014  – February 2019 TPS735-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      典型应用
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Internal Current-Limit
      2. 7.3.2 Shutdown
      3. 7.3.3 Dropout Voltage
      4. 7.3.4 Startup and Noise Reduction Capacitor
      5. 7.3.5 Transient Response
      6. 7.3.6 Undervoltage Lockout (UVLO)
      7. 7.3.7 Minimum Load
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Normal Operation
      2. 7.4.2 Dropout Operation
      3. 7.4.3 Disabled
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
        1. 8.2.1.1 Input and Output Capacitor Requirements
        2. 8.2.1.2 Feedback Capacitor Requirements (TPS73501-Q1 only)
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Output Noise
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Board Layout Recommendations to Improve PSRR and Noise Performance
      2. 10.1.2 Thermal Protection
      3. 10.1.3 Package Mounting
      4. 10.1.4 Power Dissipation
      5. 10.1.5 Estimating Junction Temperature
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 器件命名规则
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DRB|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPS735-Q1 低压降 (LDO)，低功耗线性稳压器系列产品能够提供出色的交流性能，同时还能保证极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应，同时消耗极低的 46µA（典型值）接地电流。

TPS735-Q1 系列器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 500mA 输出电流时产生 280mV 的典型压降。TPS735-Q1 系列器件使用一个精度电压基准和反馈环路来实现 2% 的整体精度（包括全部负载、线路、过程和温度变化，VOUT > 2.2V）。该系列器件的额定 TA 为 –40°C 至 125°C，采用薄型 3mm × 3mm VSON 封装。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS735-Q1 VSON (8) 3.00mm × 3.00mm
  1. 如需了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。