ZHCSTS9B December 2024 – July 2025 TPS4HC120-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
方法 1:阻断二极管与 VBB 相连。极性相反时,器件和负载均受到保护。在电池反向条件下,阻断二极管不允许任何电流流动。
方法 2(接地网络保护):在此连接下,只有高侧器件受到保护。负载反向电流受负载阻抗的限制。当发生反极性时,通过功率 FET 的持续反向电流不得使产生的热量大于绝对最大结温。器件温度可以使用 RON(REV) 值和 RθJA 规格来计算。在电池反向的情况下,确保 FET 开启以降低功率耗散。此操作是通过从 EN 到施加正电压的系统接地的路径实现的。无论器件 GND 和电路板 GND 之间采用何种连接类型,如果发生 GND 电压偏移,请确保以下连接正确才能正常运行:
如果使用多个高侧电源开关,则可在器件间共享电阻器。

其中