ZHCSM33C february   2022  – may 2023 TMP1826

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 器件比较
  8. 7 引脚配置和功能
  9. 8 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 1-Wire 接口时序
    7. 8.7 EEPROM 特性
    8. 8.8 时序图
    9. 8.9 典型特性
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1  上电
      2. 9.3.2  电源模式开关
      3. 9.3.3  总线上拉电阻器
      4. 9.3.4  温度结果
      5. 9.3.5  温度偏移
      6. 9.3.6  温度警报
      7. 9.3.7  标准器件地址
        1. 9.3.7.1 唯一 64 位器件地址和 ID
      8. 9.3.8  灵活器件地址
        1. 9.3.8.1 非易失性短地址
        2. 9.3.8.2 IO 硬件地址
        3. 9.3.8.3 电阻地址
        4. 9.3.8.4 合并的 IO 和电阻地址
      9. 9.3.9  CRC 生成
      10. 9.3.10 功能寄存器映射
      11. 9.3.11 用户存储器映射
      12. 9.3.12 位通信
        1. 9.3.12.1 主机写入，器件读取
        2. 9.3.12.2 主机读取，器件写入
      13. 9.3.13 总线速度
      14. 9.3.14 NIST 可追溯性
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 转换模式
        1. 9.4.1.1 基本单次转换模式
        2. 9.4.1.2 自动转换模式
        3. 9.4.1.3 堆叠式转换模式
        4. 9.4.1.4 连续转换模式
      2. 9.4.2 警报功能
        1. 9.4.2.1 警报模式
        2. 9.4.2.2 比较器模式
      3. 9.4.3 1-Wire 接口通信
        1. 9.4.3.1 总线复位相
        2. 9.4.3.2 地址相
          1. 9.4.3.2.1 READADDR (33h)
          2. 9.4.3.2.2 MATCHADDR (55h)
          3. 9.4.3.2.3 SEARCHADDR (F0h)
          4. 9.4.3.2.4 ALERTSEARCH (ECh)
          5. 9.4.3.2.5 SKIPADDR (CCh)
          6. 9.4.3.2.6 OVD SKIPADDR (3Ch)
          7. 9.4.3.2.7 OVD MATCHADDR (69h)
          8. 9.4.3.2.8 FLEXADDR (0Fh)
        3. 9.4.3.3 功能相
          1. 9.4.3.3.1  CONVERTTEMP (44h)
          2. 9.4.3.3.2  WRITE SCRATCHPAD-1 (4Eh)
          3. 9.4.3.3.3  READ SCRATCHPAD-1 (BEh)
          4. 9.4.3.3.4  COPY SCRATCHPAD-1 (48h)
          5. 9.4.3.3.5  WRITE SCRATCHPAD-2 (0Fh)
          6. 9.4.3.3.6  READ SCRATCHPAD-2 (AAh)
          7. 9.4.3.3.7  COPY SCRATCHPAD-2 (55h)
          8. 9.4.3.3.8  READ EEPROM (F0h)
          9. 9.4.3.3.9  GPIO WRITE (A5h)
          10. 9.4.3.3.10 GPIO READ (F5h)
      4. 9.4.4 NVM 运营
        1. 9.4.4.1 对用户数据编程
        2. 9.4.4.2 寄存器和存储器保护
          1. 9.4.4.2.1 暂存区 1 寄存器保护
          2. 9.4.4.2.2 用户存储器保护
    5. 9.5 编程
      1. 9.5.1 单器件温度转换和读取
      2. 9.5.2 多器件温度转换和读取
      3. 9.5.3 寄存器暂存区 1 更新和提交
      4. 9.5.4 单器件 EEPROM 编程和验证
      5. 9.5.5 单器件 EEPROM 页面锁定操作
      6. 9.5.6 多器件 IO 读取
      7. 9.5.7 多器件 IO 写入
    6. 9.6 寄存器映射
      1. 9.6.1  温度结果 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 00h) [复位 = 00h]
      2. 9.6.2  温度结果 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 01h) [复位 = 00h]
      3. 9.6.3  状态寄存器（暂存-1 偏移 = 02h) [复位 = 3Ch]
      4. 9.6.4  器件配置-1 寄存器（暂存-1 偏移 = 04h) [复位 = 70h]
      5. 9.6.5  器件配置-2 寄存器（暂存-1 偏移 = 05h) [复位 = 80h]
      6. 9.6.6  短地址寄存器（暂存-1 偏移 = 06h) [复位 = 00h]
      7. 9.6.7  温度警报低 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 08h) [复位 = 00h]
      8. 9.6.8  温度警报低 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 09h) [复位 = 00h]
      9. 9.6.9  温度警报高 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Ah) [复位 = F0h]
      10. 9.6.10 温度警报高 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Bh) [复位 = 07h]
      11. 9.6.11 温度偏移 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Ch) [复位 = 00h]
      12. 9.6.12 温度偏移 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Dh) [复位 = 00h]
      13. 9.6.13 IO 读取寄存器 [复位 = F0h]
      14. 9.6.14 IO 配置寄存器 [复位 = 00h]
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 总线供电应用
        1. 10.2.1.1 设计要求
        2. 10.2.1.2 详细设计过程
      2. 10.2.2 电源供电类应用
        1. 10.2.2.1 设计要求
        2. 10.2.2.2 详细设计过程
      3. 10.2.3 UART 通信接口
        1. 10.2.3.1 设计要求
        2. 10.2.3.2 详细设计过程
    3. 10.3 电源相关建议
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
9.4.4.2.2 用户存储器保护

该器件提供可配置的一次性存储器保护机制。在 32 字节 256 位的页级提供存储器保护。TMP1826 提供一级存储器保护和两种存储器操作模式：

  • 公共读写：这是出厂编程器件的默认存储器选项。主机控制器无需执行任何额外的操作即可进行读取和写入。
  • 带写保护的公共读取：在此模式下，主机控制器无需执行任何特定步骤即可读取存储器，但不允许进行写访问。
可以使用下述特殊地址来保护每个页面：

表 9-5 用户存储器保护
用户存储器保护地址注释
保护级别操作数页码字段
80h00h用户存储器页 0 在任何模式下均无法进行擦除和编程。允许公共模式读取访问。
80h01h用户存储器页 1 在任何模式下均无法进行擦除和编程。允许公共模式读取访问。
80h02h用户存储器页 2 在任何模式下均无法进行擦除和编程。允许公共模式读取访问。
80h03h用户存储器页 3 在任何模式下均无法进行擦除和编程。允许公共模式读取访问。
80h04h用户存储器页 4 在任何模式下均无法进行擦除和编程。允许公共模式读取访问。
80h05h用户存储器页 5 在任何模式下均无法进行擦除和编程。允许公共模式读取访问。
80h06h用户存储器页 6 在任何模式下均无法进行擦除和编程。允许公共模式读取访问。
80h07h用户存储器页 7 在任何模式下均无法进行擦除和编程。允许公共模式读取访问。

存储器保护位只能编程一次。因此，页面被锁定后，便无法解锁。以下序列介绍了在具有写保护的公共只读模式下锁定用户存储器页的方法：

  1. 主机发出总线复位信号，然后等待响应并针对特定器件发送地址命令。
  2. 主机发出地址为 800Nh（其中 N 是页码）的 WRITE SCRATCHPAD-2，数据字节为 55h。
  3. 主机发出总线复位信号，然后等待响应并针对特定器件发送地址命令。
  4. 主机发出地址为 800Nh（其中 N 是页码）的 READ SCRATCHPAD-2，并读取数据字节以确保其为 55h。
  5. 主机发出总线复位信号，然后等待响应并针对特定器件发送地址命令。
  6. 主机发出数据字节为 A5h 的 COPY SCRATCHPAD-2，从而确定对页进行保护。
  7. 主机在开始任何新的总线操作之前等待编程时间。