ZHDS218 May   2026 TMF0020

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 功能测试
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 20480 位 FRAM
      2. 6.3.2 FRAM 状态存储器
      3. 6.3.3 地址寄存器和传输状态
      4. 6.3.4 将数据写入 FRAM
      5. 6.3.5 TMF0020 器件 ID
      6. 6.3.6 总线端接
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 功能测试的测试程序
        1. 6.4.1.1 多目标配置
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 串行通信
      2. 6.5.2 初始化
      3. 6.5.3 ROM 命令
        1. 6.5.3.1 读取 ROM 命令 [33h]
        2. 6.5.3.2 匹配 ROM 命令 [55h]
        3. 6.5.3.3 跳过 ROM 命令 [CCh]
        4. 6.5.3.4 搜索 ROM 命令 [F0h]
        5. 6.5.3.5 恢复命令 [A5h]
        6. 6.5.3.6 超速跳过 ROM 命令 [3Ch]
        7. 6.5.3.7 超速匹配 ROM 命令 [69h]
      4. 6.5.4 存储器功能命令
        1. 6.5.4.1 写入暂存区命令 [0Fh]
        2. 6.5.4.2 读取暂存区命令 [AAh]
        3. 6.5.4.3 复制暂存区 [55h]
        4. 6.5.4.4 读取存储器 [F0h]
        5. 6.5.4.5 扩展读取存储器 [A5h]
        6. 6.5.4.6 存储器命令流程图
      5. 6.5.5 SDQ 单线串行接口信令
        1. 6.5.5.1 复位和存在脉冲
        2. 6.5.5.2 写入读取时隙
      6. 6.5.6 空闲
      7. 6.5.7 CRC 生成
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装信息
    2. 10.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.2 ESD 等级

值单位
V(ESD)静电放电人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)±1000V
充电器件模型 (CDM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准(2)±250
ESD IEC 61000-4-2 空气放电，SDQ 单线串行接口和 GND±15000V
(1) JEDEC 文档 JEP155 指出：500VHBM 可通过标准 ESD 控制流程实现安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 指出：250VCDM 可通过标准 ESD 控制流程实现安全生产。