ZHDS218 May   2026 TMF0020

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 功能测试
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 20480 位 FRAM
      2. 6.3.2 FRAM 状态存储器
      3. 6.3.3 地址寄存器和传输状态
      4. 6.3.4 将数据写入 FRAM
      5. 6.3.5 TMF0020 器件 ID
      6. 6.3.6 总线端接
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 功能测试的测试程序
        1. 6.4.1.1 多目标配置
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 串行通信
      2. 6.5.2 初始化
      3. 6.5.3 ROM 命令
        1. 6.5.3.1 读取 ROM 命令 [33h]
        2. 6.5.3.2 匹配 ROM 命令 [55h]
        3. 6.5.3.3 跳过 ROM 命令 [CCh]
        4. 6.5.3.4 搜索 ROM 命令 [F0h]
        5. 6.5.3.5 恢复命令 [A5h]
        6. 6.5.3.6 超速跳过 ROM 命令 [3Ch]
        7. 6.5.3.7 超速匹配 ROM 命令 [69h]
      4. 6.5.4 存储器功能命令
        1. 6.5.4.1 写入暂存区命令 [0Fh]
        2. 6.5.4.2 读取暂存区命令 [AAh]
        3. 6.5.4.3 复制暂存区 [55h]
        4. 6.5.4.4 读取存储器 [F0h]
        5. 6.5.4.5 扩展读取存储器 [A5h]
        6. 6.5.4.6 存储器命令流程图
      5. 6.5.5 SDQ 单线串行接口信令
        1. 6.5.5.1 复位和存在脉冲
        2. 6.5.5.2 写入读取时隙
      6. 6.5.6 空闲
      7. 6.5.7 CRC 生成
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装信息
    2. 10.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5.5.1 复位和存在脉冲

在复位序列期间，如果 SDQ 单线串行接口总线驱动为低电平的时间超过 120μs，则目标器件可复位。如果 SDQ 单线串行接口总线驱动为低电平的时间超过 480μs，则目标器件会复位，并通过使用存在脉冲进行响应来指示器件已准备好进行通信。如果 TMF0020 处于超速模式且主机发出 480μs 或更长的 tRSTL 持续时间，则器件退出超速模式并恢复到标准速度。如果器件处于超速模式且 tRSTL 小于等于 80μs，则器件仍处于超速模式。如果器件处于超速模式且 tRSTL 介于 80μs 和 480μs 之间，则器件会复位，但通信速度不确定。

复位序列时序图显示了主机启动的复位脉冲和 TMF0020（目标）启动的存在脉冲响应。

TMF0020 复位序列时序图图 6-17 复位序列时序图