ZHCSTM8 December   2023 TLVM365R1 , TLVM365R15

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 系统特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  使能、关断和启动
      2. 7.3.2  可调开关频率（通过 RT）
      3. 7.3.3  电源正常输出运行
      4. 7.3.4  内部 LDO、VCC UVLO 和 VOUT/FB 输入
      5. 7.3.5  自举电压和 VBOOT-UVLO（BOOT 端子）
      6. 7.3.6  输出电压选择
      7. 7.3.7  软启动和从压降中恢复
        1. 7.3.7.1 软启动
        2. 7.3.7.2 从压降中恢复
      8. 7.3.8  电流限制和短路
      9. 7.3.9  热关断
      10. 7.3.10 输入电源电流
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 待机模式
      3. 7.4.3 工作模式
        1. 7.4.3.1 CCM 模式
        2. 7.4.3.2 自动模式 - 轻负载运行
          1. 7.4.3.2.1 二极管仿真
          2. 7.4.3.2.2 降频
        3. 7.4.3.3 最短导通时间运行
        4. 7.4.3.4 压降
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 8.2.2.2  选择开关频率
        3. 8.2.2.3  设置输出电压
        4. 8.2.2.4  输入电容器选型
        5. 8.2.2.5  输出电容器选型
        6. 8.2.2.6  VCC
        7. 8.2.2.7  CFF 选型
        8. 8.2.2.8  外部 UVLO
        9. 8.2.2.9  电源正常信号
        10. 8.2.2.10 最高环境温度
        11. 8.2.2.11 其他连接
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 优秀设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
      2. 9.1.2 开发支持
        1. 9.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4 热性能信息

热指标(1) TLVM365R15 / TLVM365R1 单位
RDN
11 引脚
RθJA 结至环境热阻 (2) 42.9 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 (3) 4.4 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数(4) 17.2 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。 
(2) 此表中给出的 RΘJA 值仅用于与其他封装的比较，不能用于设计目的。该值是根据 JESD 51-7 计算的，并在 4 层 JEDEC 板上进行了仿真。它并不代表在实际应用中获得的性能。 
(3) 使用 JESD51-2A（第 6 章和第 7 章）中所述的步骤，可利用结至顶层板特性参数 (ψJT) 来估算真实系统中器件的结温 (TJ)。TJ = ψJT ∙ Pdis + TT；其中 Pdis 是器件中耗散的功率，TT 是器件顶部的温度。 
(4) 使用 JESD51-2A（第 6 章和第 7 章）中所述的步骤，可利用结至板特性参数 (ψJB) 来估算真实系统中器件的结温 (TJ)。TJ = ψJB ∙ Pdis + TB；其中 Pdis 是器件中耗散的功率，TB 是距器件 1mm 的电路板的温度。