ZHCSFM6 October   2016 TLV2376 , TLV376 , TLV4376

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 技术规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议的工作条件
    4. 6.4 热性能信息：TLV376
    5. 6.5 热性能信息：TLV2376
    6. 6.6 热性能信息：TLV4376
    7. 6.7 电气特性
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 工作电压
      2. 7.3.2 电容负载和稳定性
      3. 7.3.3 输入失调电压和输入失调电压漂移
      4. 7.3.4 共模电压范围
      5. 7.3.5 输入和 ESD 保护
    4. 7.4 器件功能模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 工作特性
      2. 8.1.2 基本放大器配置
      3. 8.1.3 有源滤波
      4. 8.1.4 驱动模数转换器
      5. 8.1.5 幻象供电麦克风
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局准则
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
        1. 11.1.1.1 TINA-TI（免费软件下载）
        2. 11.1.1.2 TI 高精度设计
        3. 11.1.1.3 WEBENCH® 滤波器设计器
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 相关链接
    4. 11.4 接收文档更新通知
    5. 11.5 社区资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6 技术规格

6.1 绝对最大额定值

在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
电压 电源，VS = (V+) – (V–) 7 V
信号输入引脚(2) (V–) – 0.5 (V+) + 0.5 V
电流 信号输入引脚(2) -10 10 mA
输出短路(3) 连续
温度 指定温度，TA -40 125 °C
结温，TJ 150
存储温度，Tstg -65 150
(1) 超出绝对最大额定值下所列值的应力可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下器件的功能性操作以及在超出建议的工作条件下的任何其它操作，在此并未说明。长时间运行在最大绝对额定条件下会影响器件可靠性。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。摆幅超过电源轨 0.5V 的输入信号的电流必须限制在 10mA 或者更少。
(3) 对地短路，每个封装对应一个放大器。

6.2 ESD 额定值

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±4000 V
组件充电模式 (CDM)，符合 JEDEC 规格 JESD22-C101(2) ±1000
(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

6.3 建议的工作条件

在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
电源电压，VS = (V+) – (V–) 单电源 2.2 5.5 V
双电源 ±1.1 ±2.75
TA 指定温度范围 -40 125 °C

6.4 热性能信息：TLV376

热指标(1) TLV376 单位
D (SOIC) DBV (SOT-23)
8 引脚 5 引脚
RθJA 结至环境热阻 100.1 273.8 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 42.4 126.8 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 41.0 85.9 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 4.8 10.9 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 40.3 84.9 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不適用 不適用 °C/W
(1) 有关传统和新型热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。

6.5 热性能信息：TLV2376

热指标(1) TLV2376 单位
D (SOIC) DGK (VSSOP)
8 引脚 8 引脚
RθJA 结至环境热阻 111.1 171.2 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 54.7 63.9 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 51.7 92.8 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 10.5 9.2 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 51.2 91.2 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不適用 不適用 °C/W
(1) 有关传统和新型热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。

6.6 热性能信息：TLV4376

热指标(1) TLV4376 单位
PW (TSSOP)
14 引脚
RθJA 结至环境热阻 107.8 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 29.6 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 52.6 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 1.5 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 51.6 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W

6.7 电气特性

在 TA = 25°C，RL = 10kΩ 且连接至 VS/2，VCM = VS/2，VOUT = VS/2 的条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入失调电压 TLV376、TLV2376 40 100 µV
TLV4376 50 125
dVOS/dT 偏移电压与温度间的关系 TA = -40°C 至 +125°C 1.0 μV/°C
PSRR 电源抑制比 VS=2.2V 至 5.5V，VCM<(V+) – 1.3 V 84 110 dB
通道分离，直流 TLV2376、TLV4376 0.5 mV/V
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 0.3 pA
TA=-40°C 至 +125°C 请参阅 典型特性
IOS 输入失调电流 0.2 pA
噪声
输入电压噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz 2.2 µVPP
en 输入电压噪声密度 f = 1kHz 8.0 nV/√Hz
in 输入电流噪声 f = 1kHz 2 fA/√Hz
输入电压范围
VCM 共模电压范围 (V–) – 0.1 (V+)+0.1 V
CMRR 共模抑制比 (V–) < VCM < (V+) – 1.3V 72 88 dB
输入电容
差模 6.5 pF
共模 13 pF
开环增益
AOL 开环电压增益 100mV < VO < (V+) – 100mV，RL = 2kΩ 100 126 dB
频率响应（CL = 100pF，VS = 5.5V）
GBW 增益带宽积 5.5 MHz
SR 压摆率 G = 1 2 V/µs
tS 趋稳时间 到 0.1%，2V 阶跃，G = 1 1.6 µs
到 0.01%，2V 阶跃，G = 1 2
过载恢复时间 VIN  × 增益 > VS 0.33 μs
THD+N 总谐波失真 + 噪声 VO = 1VRMS，G = 1，f = 1kHz，RL = 10kΩ 0.0005%
输出
相对于电源轨的电压输出摆幅 RL= 10kΩ 10 20 mV
ISC 短路电流 源电流 30 mA
灌电流 -50
CLOAD 电容负载驱动 请参阅 典型特性
RO 开环输出阻抗 150 Ω
电源
VS 额定电压范围 2.2 5.5 V
工作电压范围 2 至 5.5 V
IQ 静态电流（每个放大器） IO = 0mA，VS = 5.5V，VCM < (V+) – 1.3V 815 1200 μA
温度
额定温度范围 -40 125 °C

6.8 典型特性

在 TA = 25°C，VS = 5V，RL = 10kΩ 且连接至 VS/2，VCM = VS/2，且 VOUT = VS/2 的条件下测得（除非另有说明）
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_open_gp-freq_bos406.gif
Figure 1. 开环增益和相位与频率间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_open_psrr-tmp_sbos755.gif
Figure 3. 开环增益和电源抑制比与温度间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_v_noise_bos406.gif
Figure 5. 输入电压噪声频谱密度
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_cmrr-tmp_bos406.gif
Figure 7. 共模抑制比与温度间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_iq_cur-sv_sbos755.gif
Figure 9. 静态电流和短路电流与
电源电压间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_ibc-tmp_bos406.gif
Figure 11. 输入偏置电流与温度间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_offset_vltg_sbos799.gif
Figure 13. 偏移电压产生分布直方图
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_max_out-frq_sbos755.gif
Figure 15. 最大输出电压与频率间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_resp_sm_sbos755.gif
G = +1 V/V，RL = 10kΩ，CL = 50pF
Figure 17. 小信号脉冲响应
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_set_tim-closed_bos406.gif
Figure 19. 趋稳时间与闭环增益间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_oloop_ro-frq_sbos755.gif
Figure 21. 开环输出电阻与频率间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_ps-cmrr-freq_sbos755.gif
Figure 2. 电源和共模抑制比与频率间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_input_vr_sbos755.gif
Figure 4. 0.1Hz 至 10Hz 输入电压噪声
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_hd-freq_sbos755.gif
VS = 5V，VCM = 2V，VOUT = 1VRMS
Figure 6. 总谐波失真 + 噪声与频率间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_iq-tmp_bos406.gif
Figure 8. 静态电流与温度间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_short_cir-tmp_sbos755.gif
VS = ±2.75V
Figure 10. 短路电流与温度间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_outv_outc_sbos755.gif
VS = ±2.75V
Figure 12. 输出电压与输出电流间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_offset_vltg_drift_sbos755.gif
Figure 14. 偏移电压漂移生产分布直方图（–40°C 至 125°C）
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_ss-load_cap_sbos755.gif
Figure 16. 小信号过冲与负载电容间的关系
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_resp_lg_sbos755.gif
G = +1 V/V，RL = 2kΩ，CL = 50pF
Figure 18. 大信号脉冲响应
TLV376 TLV2376 TLV4376 tc_ch_sep-frq_bos406.gif
Figure 20. 通道分离与频率间的关系