ZHCSEE6 December   2015 TLV2333 , TLV333 , TLV4333

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 技术规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议的工作条件
    4. 7.4 热性能信息：TLV333
    5. 7.5 热性能信息：TLV2333
    6. 7.6 热性能信息：TLV4333
    7. 7.7 电气特性：VS = 1.8V 至 5.5V
    8. 7.8 典型特性
  8. 8 详细 说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能框图
    3. 8.3 特性 说明
      1. 8.3.1 工作电压
      2. 8.3.2 输入电压
      3. 8.3.3 内部失调校正
      4. 8.3.4 实现到运算放大器负轨的输出摆幅
      5. 8.3.5 输入差分电压
      6. 8.3.6 EMI 敏感性和输入滤波
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 系统示例
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局准则
      1. 11.1.1 通用布局准则
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 开发支持
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 相关链接
    4. 12.4 社区资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
  • DBV|5
  • DCK|5
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7 技术规格

7.1 绝对最大额定值

在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
电源电压 VS = (V+) – (V–) 7 V
信号输入引脚(2) 电压 (V–) – 0.3 (V+) + 0.3 V
电流 -10 10 mA
输出短路(3) 连续
温度 工作温度 –40 150 °C
结温 150
贮存温度，Tstg -65 150
(1) 超出绝对最大额定值下所列值的应力可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下的器件的功能性操作以及在超出推荐的操作条件下的任何其它操作，在此并未说明。在绝对最大额定值条件下长时间运行会影响器件可靠性。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。对于摆幅超过电源轨 0.3V 的输入信号，必须将其电流限定为不超过 10mA 或者更低。
(3) 对地短路，每个封装对应一个放大器。

7.2 ESD 额定值

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±4000 V
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±1000
(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

7.3 建议的工作条件

在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
VS 电源电压 1.8 5.5 V
额定温度范围 -40 125 °C

7.4 热性能信息：TLV333

热指标(1) TLV333 单位
D
(SOIC)		 DBV
(SOT23)		 DCK
(SC70)
8 引脚 5 引脚 5 引脚
RθJA 结至环境热阻 140.1 220.8 298.4 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 89.8 97.5 65.4 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 80.6 61.7 97.1 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 28.7 7.6 0.8 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 80.1 61.1 95.5 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不適用 不適用 不適用 °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。

7.5 热性能信息：TLV2333

热指标(1) TLV2333 单位
D
(SOIC)		 DGK
(VSSOP)
8 引脚 8 引脚
RθJA 结至环境热阻 124.0 180.3 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 73.7 48.1 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 64.4 100.9 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 18.0 2.4 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 63.9 99.3 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不適用 不適用 °C/W

7.6 热性能信息：TLV4333

热指标(1) TLV4333 单位
D
(SOIC)		 PW
(TSSOP)
14 引脚 14 引脚
RθJA 结至环境热阻 83.8 120.8 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 70.7 34.3 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 59.5 62.8 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 11.6 1.0 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 37.7 56.5 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不適用 不適用 °C/W

7.7 电气特性：VS = 1.8V 至 5.5V

在 TA = 25°C，RL = 10kΩ 且连接至 1/2 Vs，VCM = VOUT = 1/2 Vs 的条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入失调电压(2) VS = 5V 2 15 µV
dVOS/dT VOS 温漂 TA = –40°C 至 +125°C 0.02 µV/°C
PSRR 电源抑制比 VS = 1.8V 至 5.5V 1 8 µV/V
长期稳定性(1) 1(1) µV
通道分离，直流 0.1 µV/V
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 ±70 pA
全温度范围内输入偏置电流 TA = –40°C 至 +125°C ±150 pA
IOS 输入失调电流 ±140 pA
噪声
en 输入电压噪声密度 f = 1kHz 55 nV/√Hz
输入电压噪声 f = 0.01Hz 至 1Hz 0.3 µVPP
f = 0.1Hz 至 10Hz 1.1
in 输入电流噪声密度 f = 10Hz 100 fA/√Hz
输入电压范围
VCM 共模电压范围 (V–) – 0.1 (V+)+0.1 V
CMRR 共模抑制比 (V–) – 0.1V < VCM < (V+) + 0.1V 102 115 dB
输入电容
差模 2 pF
共模 4
开环增益
AOL 开环电压增益 (V–) + 0.1V < VO < (V+) – 0.1V 102 130 dB
频率响应
GBW 增益带宽积 CL = 100pF 350 kHz
SR 压摆率 G = 1 0.16 V/µs
输出
相对于电源轨的电源轨的电压输出摆幅 TA = –40°C 至 +125°C 30 70 mV
ISC 短路电流 ±5 mA
CL 容性负载驱动 请参阅 典型特性
ZO 开环输出阻抗 f = 350kHz，IO = 0mA 2 kΩ
电源
VS 额定电压范围 1.8 5.5 V
IQ 静态电流（每个放大器） IO = 0mA，TA = –40°C 至 +125°C 17 28 µA
开通时间 VS = 5V 100 µs
温度范围
额定温度范围 -40 125 °C
工作范围 -40 150 °C
储存温度 -65 150 °C
(1) 在 150°C 下 300 小时的寿命试验表明，随机分布变化值约为 1µV。
(2) 取决于具体的设计和特性。所有放大器均在 25°C 下经过了生产筛查，从而减少了缺陷单元的数量。

7.8 典型特性

在 TA = 25°C，CL = 0pF，RL = 10kΩ 且连接至 1/2 Vs，VCM = VOUT = 1/2 Vs 的条件下测得（除非另有说明）
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_histo_sbos751.gif
Figure 1. 失调电压产生分布图
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_cmrr-frq_bos351.gif
Figure 3. 共模抑制比与频率间的关系
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_vos-io_sbos751.gif
Figure 5. 输出电压摆幅与输出电流间的关系
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_ib-tmp_sbos751.gif
Figure 7. 全温度范围内输入偏置电流
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_resp_lg_sbos751.gif
G = 1，RL = 10kΩ
Figure 9. 大信号阶跃响应
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_pos_recov_sbos751.gif
Figure 11. 正过压恢复
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_tim-cloop_sbos751.gif
4V 阶跃
Figure 13. 稳定时间与闭环增益间的关系
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_noise_sbos751.gif
Figure 15. 0.1Hz 至 10Hz 噪声
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_ibc_diff_v_bos432.gif
Figure 17. 输入偏置电流与输入差分电压间的关系
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_oloop-frq_bos351.gif
Figure 2. 开环增益与频率间的关系
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_psrr-frq_bos351.gif
Figure 4. 电源抑制比与频率间的关系
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_ib-vcm_bos342.gif
Figure 6. 输入偏置电流与共模电压间的关系
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_iq-tmp_sbos751.gif
Figure 8. 静态电流与温度间的关系
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_resp_sm_sbos751.gif
G = 1，RL = 10kΩ
Figure 10. 小信号阶跃响应
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_neg_recov_sbos751.gif
Figure 12. 负过压恢复
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_ovrshoot-cl_bos351.gif
Figure 14. 小信号过冲与负载电容间的关系
TLV333 TLV2333 TLV4333 tc_noise-frq_bos351.gif
Figure 16. 电流和电压噪声频谱密度与频率间的关系