ZHCS044C march   2011  – april 2023 TLV3011-Q1 , TLV3011B-Q1 , TLV3012-Q1 , TLV3012B-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值 仅限 TLV3012-Q1 DCK 封装
    2. 6.2  绝对最大额定值 - TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1
    3. 6.3  ESD 等级
    4. 6.4  热性能信息 - 仅限 TLV3012-Q1 DCK 封装
    5. 6.5  热性能信息 - TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1
    6. 6.6  建议运行条件
    7. 6.7  电气特性 - 仅限 TLV3012-Q1 DCK 封装
    8. 6.8  开关特性 - 仅限 TLV3012-Q1 DCK 封装
    9. 6.9  电气特性 - TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1
    10. 6.10 开关特性 - TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1
  7. 7 典型特性 - 仅限 TLV3012-Q1 DCK 封装
  8. 8 典型特性 - TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1
  9. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 开漏输出（TLV3011-Q1 和 TLV3011B-Q1）
      2. 9.4.2 推挽输出（TLV3012-Q1 和 TLV3012B-Q1）
      3. 9.4.3 电压基准
      4. 9.4.4 TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1 失效防护输入
      5. 9.4.5 TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1 上电复位
  10. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
      1. 10.1.1 外部迟滞
      2. 10.1.2 TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1 迟滞
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 欠压检测
        1. 10.2.1.1 设计要求
        2. 10.2.1.2 详细设计过程
        3. 10.2.1.3 应用曲线
    3. 10.3 系统示例
      1. 10.3.1 上电复位
      2. 10.3.2 张弛振荡器
    4. 10.4 电源相关建议
    5. 10.5 布局
      1. 10.5.1 布局指南
      2. 10.5.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.9 电气特性 - TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1

TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) – (V–) = 1.8V 和 5.5V，VCM = VS /2（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入失调电压 VCM = (V–) -6 ±0.3 6 mV
VOS 输入失调电压 VCM = (V–)
TA = –40°C 至 +125°C		 -9 9 mV）
dVIO/dT 输入失调电压漂移 VCM = (V–)
TA = –40°C 至 +125°C		 ±12 µV/°C
PSRR 电源抑制比 VCM = (V–)
VS = 1.8V 至 5.5V
TA =–40°C 至 +125°C		 100 1000 µV/V
PSRR 电源抑制比（B 版本） VCM = (V–)
VS = 1.65V 至 5.5V
TA = –40°C 至 +125°C		 100 1000 µV/V
VHYS 输入迟滞电压 TA=-40°C 至 +125°C 2 6 8 mV
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 VCM = VS/2  -10(1) ±4.5 10(1) pA
IOS 输入失调电流 VCM = VS/2  -10(1) ±1 10(1) pA
输入共模范围
VCM-Range 共模电压范围 VS = 1.8V 至 5.5V (V-)-0.2 (V+)+0.2 V
CMRR 共模抑制比 VCM = (V–) + 1.5V 至 (V+) + 0.2V
VS = 5.5V		 60 74 dB
CMRR 共模抑制比 VCM = (V–) - 0.2V 至 (V+) + 0.2V
VS = 5.5V		 54 62 dB
RCM 输入共模电阻 1013 Ω
CIC 输入共模电容 2 pF
输入阻抗
RDM 输入差分模式电阻 1013 Ω
CID 输入差分模式电容 4 pF
输出
VOL (V–) 的电压摆幅 VS = 5V
ISINK = 5mA
TA = -40°C 至 +125°C		 160 200 mV
VOH (V+) 的电压摆幅（仅适用于推挽） VS = 5V
ISOURCE = 5mA
TA = –40°C 至 +125°C		 90 200 mV
电压基准
VOUT 基准电压 1.223 1.242 1.260 V
精度 ±0.25% ±1.5%
dVOUT/dT 温漂 TA = –40°C 至 +125°C 40 100 ppm/℃
dVOUT/dILOAD 负载调节，拉电流 0mA < ISOURCE ≤ 0.5mA 0.36 1(1) mV/mA
负载调节，灌电流 0mA < ISINK ≤ 0.5mA 6.6
mV/mA
ILOAD 输出电流 0.5 mA
dVOUT/dVS 线路调节 1.8V ≤ VS ≤ 5.5V 10 100(1) µV/V
dVOUT/dVS 线路调节（B 版本） 1.65V ≤ VS ≤ 5.5V 10 100(1) µV/V
Vnoise 噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz 0.2 mVPP
电源
IQ 静态电流（每个比较器） 输出为逻辑高电平 2.8 5 µA
IQ 静态电流（每个比较器） 输出为逻辑高电平
TA = –40°C 至 +125°C		 7 µA
IQ 每个比较器的静态电流（B 版本） 输出为逻辑高电平 2.4 3.1 µA
IQ 每个比较器的静态电流（B 版本） 输出为逻辑高电平
TA = –40°C 至 +125°C		 3.6 µA
(1) 由特征确保