ZHCSYK6B October   1987  – June 2025 TLV2711

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2说明
  4. 3引脚配置和功能
  5. 4规格
    1. 4.1 绝对最大额定值
    2. 4.2 功耗等级表
    3. 4.3 建议运行条件
    4. 4.4 电气特性，VDD = 3V
    5. 4.5 工作特性，VDD = 3V
    6. 4.6 电气特性，VDD = 5V
    7. 4.7 工作特性，VDD = 5V
  6. 5典型特性
  7. 6应用和实施
    1. 6.1 应用信息
      1. 6.1.1 驱动大容性负载
      2. 6.1.2 驱动重直流负载
  8. 7器件和文档支持
    1. 7.1 接收文档更新通知
    2. 7.2 支持资源
    3. 7.3 商标
    4. 7.4 静电放电警告
    5. 7.5 术语表
  9. 8修订历史记录
  10. 9机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBV|5
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.1.1 驱动大容性负载

TLV2711 旨在驱动比大多数 CMOS 运算放大器更大的容性负载。图 5-31 说明了驱动最高达 600pF 的负载并同时保持良好的相位裕度 (Rnull = 0Ω) 的能力。

器件输出端（请参阅 图 6-1）的更小的串联电阻器 (Rnull) 可在驱动大容性负载时改善增益裕度和相位裕度。添加该串联电阻会产生两个影响。第一个影响是该串联电阻在传递函数中引入了一个零点。第二个影响是该串联电阻降低了传递函数中与输出负载相关的极点频率。

引入传递函数的零点等于串联电阻乘以负载电容。要计算相位裕度的改善，请使用 方程式 1。

方程式 1. Δϕm1 = tan–1 (2 × π × UGBW × Rnull × CL)

其中

  • Δφm1 = 相位裕度的改善
  • UGBW = 单位增益带宽频率
  • Rnull = 输出串联电阻
  • CL = 负载电容
TLV2711 串联电阻电路图 6-1 串联电阻电路