ZHCSYD4R June   2001  – June 2025 SN74LVC1G66

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
    2.     Pin Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Analog Switch Characteristics
    8. 5.8 Operating Characteristics
    9. 5.9 Typical Characteristics
  7. 6 Parameter Measurement Information
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curve
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Documentation Support
      1. 9.1.1 Related Documentation
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBV|5
  • DSF|6
  • DCK|5
  • DRL|5
  • YZP|5
  • DRY|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 采用德州仪器 (TI) NanoFree™ 封装
  • 1.65V 至 5.5V VCC 运行
  • 允许接受输入电压 5.5V
  • tpd 最大值为 0.8ns（3.3V 时）
  • 高开关输出电压比
  • 高度线性
  • 高速，典型值为 0.5ns（VCC = 3V，
    CL = 50pF）
  • 低导通状态电阻，典型值约为 5.5Ω (VCC = 4.5V)
  • 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2000V 人体放电模型 (A114-A)
    • 200V 机器放电模型 (A115-A)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)