ZHCSTQ1 November   2023 SN74LV8T165

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 计时特性
    7. 5.7 开关特性
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 LVxT 增强输入电压
        1. 7.3.1.1 降压转换
        2. 7.3.1.2 升压转换
      2. 7.3.2 平衡 CMOS 推挽式输出
      3. 7.3.3 具有已知上电状态的锁存逻辑
      4. 7.3.4 钳位二极管结构
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
        1. 8.2.1.1 电源注意事项
        2. 8.2.1.2 输入注意事项
        3. 8.2.1.3 输出注意事项
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PW|16
  • BQB|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4 器件功能模式

表 7-1 和表 7-1 列出了 SN74LV8T165 的功能模式。

表 7-1 工作模式表
输入(1) 功能
SH/LD CLK CLK INH
L X X 并行负载
H H X 没有变化
H X H 没有变化
H L ↑ 移位(2)
H ↑ L 移位(2)
(1) H = 高电压电平，L = 低电压电平，X = 不用考虑，↑ = 低电平到高电平转换
(2) 移位：每个内部寄存器的内容通过串行输出 QH 传输。SER 的数据被移入第一个寄存器。
表 7-2 输出功能表
内部寄存器(1)(2) 输出(2)
A — G H Q Q
X L L H
X H H L
(1) 内部寄存器是指器件内的移位寄存器。通过从并行输入加载数据或通过从串行输入生成时钟数据来设置这些值。
(2) H = 高电压电平，L = 低电压电平，X = 不用考虑