ZHDS183D June   2005  – April 2026 REF3212 , REF3220 , REF3225 , REF3230 , REF3233 , REF3240

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 电气特性
    4. 5.4 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
      1. 6.1.1 电源电压
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 热迟滞
      2. 6.3.2 温漂
      3. 6.3.3 噪声性能
      4. 6.3.4 负载调整率
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 长期稳定性
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 详细设计过程
        1. 7.2.1.1 负基准电压
        2. 7.2.1.2 数据采集
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.1 概述

REF32xx 是采用 CMOS 工艺制造的高精度带隙式电压基准芯片系列。图 6-1 展示了基本带隙拓扑。晶体管 Q1 和 Q2 实现了偏置，使得 Q1 的电流密度大于 Q2 的电流密度。两个基极发射极电压之差 (Vbe1 - Vbe2) 具有正温度系数，并被迫通过电阻 R1。该电压被放大并加上具有负温度系数的 Q2 的基极发射极电压。由此产生的输出电压实际上与温度无关。

REF3212 REF3220 REF3225 REF3230 REF3233 REF3240 带隙基准的简化原理图图 6-1 带隙基准的简化原理图