ZHCSHP0J March 2002 – July 2025 REF30 , REF30E
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REF30 是串联、精度带隙电压基准。节 7.2 展示了它的基本拓扑。晶体管 Q1 和 Q2 实现了偏置,使得 Q1 的电流密度大于 Q2 的电流密度。两个基极发射极电压之差 (Vbe1 - Vbe2) 具有正温度系数,并被迫通过电阻 R1。此电压被放大并被添加到具有负系数的 Q2 的基极发射极电压。由此产生的输出电压实际上与温度无关。带隙电压的弯曲(如图 6-10 所示)是 Q2 基极发射极电压的轻微非线性温度系数所致。