ZHCSMB2A April   2023  – November 2023 OPA814

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性：
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入和 ESD 保护
      2. 7.3.2 具有宽增益带宽产品的 FET 输入架构
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 宽带、高输入阻抗 DAQ 前端
      2. 8.1.2 宽带、跨阻设计，使用 OPA814
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 高输入阻抗 180MHz 数字转换器前端放大器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 散热注意事项
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
  • DBV|5
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性：

在 TA ≅25°C，VS = ±5V，G = 1V/V，RF = 0Ω，RF = 250Ω（当 G ≥ 2V/V 时），RL = 100Ω，并且输入和输出以 1/2 Vs 为基准（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
交流性能
SSBW 小信号带宽 VOUT = 200mVPP，G = 1V/V 600 MHz
VOUT = 200mVPP，G = 2V/V 250
VOUT = 200mVPP，G = 10V/V 25
增益带宽积 G >= 10V/V 250 MHz
LSBW 大信号带宽 VOUT = 2VPP，G = 1V/V 200 MHz
VOUT = 2VPP，G = 2V/V 165
VOUT = 4VPP，G = 1V/V 110
0.1dB 平坦度带宽 VOUT = 2VPP 70 MHz
G = 1V/V 时达到峰值 VOUT = 200 mVPP 0.6 dB
SR 压摆率 VOUT = 1V 阶跃，G = 2V/V 550 V/µs
VOUT = 4V 阶跃，G = 1 V/V 750
tR，tF 上升/下降时间 VOUT = 200mV 阶跃，G = 1V/V，10% 至 90% 0.8 ns
VOUT = 200mV 阶跃，G = 2V/V，10% 至 90% 1.3
精度达 0.1% 的建立时间 VOUT = 2V 阶跃，G = 1V/V 7 ns
精度达 0.02% 的建立时间 VOUT = 2V 阶跃，G = 2V/V 16 ns
过冲 VOUT = 2V 阶跃 6 %
下冲 VOUT = 2V 阶跃 10 %
输出过驱恢复时间 VIN = ±2.5V，G = 2V/V 30 ns
HD2 二阶谐波失真 f = 1MHz，VOUT = 2VPP，RL = 1kΩ -119 dBc
HD3 三阶谐波失真 –130
HD2 二阶谐波失真 f = 10MHz，VOUT = 2VPP，RL = 100Ω –75 dBc
HD3 三阶谐波失真 –85
eN 输入电压噪声 f > 100kHz 5.3 nV/√Hz
电压噪声 1/f 转角频率 2 kHz
输入电流噪声 f > 100kHz 11 fA/√Hz
直流性能
AOL 开环电压增益 VO = ±0.5 V 75 80 dB
VO = ±0.5V，TA = –40°C 至 +85°C 70
VOS 以输入为基准的失调电压 SOIC 50 ±250 µV
SOIC，TA = –40°C 至 +85°C ±500
SOT-23 100 ±350
SOT-23，TA = –40°C 至 +85°C ±600
输入失调电压温漂(1) TA = –40°C 至 +85°C 1 ±3.5 µV/°C
IB 输入偏置电流 2 ±20 pA
TA = –40°C 至 +85°C ±1000
IOS 输入失调电流 1 ±20 pA
TA = –40°C 至 +85°C ±500
输入
CMIR 最大正输入电压 CMRR > 77dB 2.1 2.7 V
TA = –40°C 至 +85°C，CMRR > 77dB 2
CMRR > 53dB 2.6 3.1
TA = –40°C 至 +85°C，CMRR > 53dB 2.4
最小负输入电压 CMRR > 77dB -4.3 -3.9 V
TA = –40°C 至 +85°C，CMRR > 77dB -3.7
CMRR > 53dB -4.4 -4
TA = –40°C 至 +85°C，CMRR > 53dB -3.8
CMRR 共模抑制比 VCM = ±0.5V 84 100 dB
VCM = ±0.5V，TA = –40°C 至 +85°C 83
输入阻抗共模 12 || 2.5 GΩ || pF
输入阻抗差模 1000 || 0.2 GΩ || pF
输出

电压输出摆幅
 		 空载 ±3.7 ±3.9 V
SOIC，RL = 100Ω ±3.4 ±3.7
SOT-23，RL = 100Ω ±3.35 ±3.7
TA = –40°C 至 +85°C，RL = 100Ω ±3.3
线性输出驱动
（拉电流和灌电流）		 VOUT = ±1V，ΔVOS < 2mV 52 70 mA
TA = –40 至 +85°C，
VOUT = ±1V，ΔVOS < 3mV		 45
短路电流 90 mA
ZO 闭环输出阻抗 f = 100kHz，G = 1V/V 0.01 Ω
电源
IQ 静态电流 15.3 16 16.7 mA
TA = –40°C 至 +85°C 15.2 16.8
PSRR+ 电源抑制比
（正）		 SOIC，VS+ = 4.5V 至 5.5V 79 100 dB
SOIC，VS+ = 4.5V 至 5.5V，
TA = –40°C 至 +85°C		 76
SOT-23，VS+ = 4.5V 至 5.5V 77 100
SOT-23，VS+ = 4.5V 至 5.5V，
TA = –40°C 至 +85°C		 74
PSRR– 电源抑制比
（负）		 SOIC，VS– = –4.5V 至 –5.5V 79 100 dB
SOIC，VS– = –4.5V 至 –5.5V，
TA = –40°C 至 +85°C		 76
SOT-23，VS– = –4.5V 至 –5.5V 77 100
SOT-23，VS– = –4.5V 至 –5.5V，
TA = –40°C 至 +85°C		 74
(1) 基于 32 个器件的电气特性。最小值和最大值不由最终自动测试设备 (ATE) 或 QA 抽样测试指定。典型规格为 ±1 Σ。