ZHCSSC6A february   2023  – june 2023 MSPM0G1106 , MSPM0G1107

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 系统锁相环 (SYSPLL)
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
      5. 7.9.5 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电压特性
      2. 7.14.2 电气特性
    15. 7.15 GPAMP
      1. 7.15.1 电气特性
      2. 7.15.2 开关特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C 时序图
      2. 7.16.2 I2C 特性
      3. 7.16.3 I2C 滤波器
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI 时序图
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 仿真和调试
      1. 7.20.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  CPU
    2. 8.2  操作模式
      1. 8.2.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0G110x)
    3. 8.3  电源管理单元 (PMU)
    4. 8.4  时钟模块 (CKM)
    5. 8.5  DMA
    6. 8.6  事件
    7. 8.7  存储器
      1. 8.7.1 内存组织
      2. 8.7.2 外设文件映射
      3. 8.7.3 外设中断向量
    8. 8.8  闪存存储器
    9. 8.9  SRAM
    10. 8.10 GPIO
    11. 8.11 IOMUX
    12. 8.12 ADC
    13. 8.13 温度传感器
    14. 8.14 VREF
    15. 8.15 GPAMP
    16. 8.16 CRC
    17. 8.17 UART
    18. 8.18 I2C
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 WWDT
    21. 8.21 RTC
    22. 8.22 计时器 (TIMx)
    23. 8.23 器件模拟连接
    24. 8.24 输入/输出图
    25. 8.25 串行线调试接口
    26. 8.26 引导加载程序 (BSL)
    27. 8.27 器件出厂常量
    28. 8.28 识别
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息
  13. 12修订历史记录

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.7.1 内存组织

下表总结了器件的存储器映射。有关存储器区域详情的更多信息，请参阅 MSPM0 G 系列 80MHz 微控制器技术参考手册 中的平台存储器映射 部分。

表 8-4 内存组织
存储器区域子区域MSPM0G1105MSPM0G1106MSPM0G1107
代码（闪存）MAIN ECC 校正

32KB - 8B(1)

0x0000.0000 至 0x0000.7FF8

64KB - 8B(1)

0x0000.0000 至 0x0000.FFF8

128KB-8B(1)

0x0000.0000 至 0x0001.FFF8
MAIN ECC 未校正0x0040.0000 至 0x0040.7FF80x0040.0000 至 0x0040.FFF80x0040.0000 至 0x0041.FFF8
SRAM (SRAM) 默认

16KB

0x2000.0000 至 0x200F.FFFF

32KB

0x2000.0000 至 0x200F.FFFF

32KB

0x2000.0000 至 0x200F.FFFF
经过奇偶校验 0x2010.0000 至 0x201F.FFFF 0x2010.0000 至 0x201F.FFFF 0x2010.0000 至 0x201F.FFFF
未检验 0x2020.0000 至 0x202F.FFFF 0x2020.0000 至 0x202F.FFFF 0x2020.0000 至 0x202F.FFFF

ECC/奇偶校验

代码		 0x2030.0000 至 0x203F.FFFF 0x2030.0000 至 0x203F.FFFF 0x2030.0000 至 0x203F.FFFF
外设外设0x4000.0000 至 0x40FF.FFFF0x4000.0000 至 0x40FF.FFFF0x4000.0000 至 0x40FF.FFFF
MAIN 校正0x4100.0000 至 0x4100.80000x4100.0000 至 0x4101.00000x4100.0000 至 0x4102.0000
MAIN 未校正0x4140.0000 至 0x4140.80000x4140.0000 至 0x4141.00000x4140.0000 至 0x4142.0000
MAIN ECC 代码0x4180.0000 至 0x4180.80000x4180.0000 至 0x4181.00000x4180.0000 至 0x4182.0000
NONMAIN 校正

512 字节

0x41C0.0000 至 0x41C0.0200

512 字节

0x41C0.0000 至 0x41C0.0200

512 字节

0x41C0.0000 至 0x41C0.0200
NONMAIN 未校正0x41C1.0000 至 0x41C1.02000x41C1.0000 至 0x41C1.02000x41C1.0000 至 0x41C1.0200
NONMAIN ECC 代码0x41C2.0000 至 0x41C2.02000x41C2.0000 至 0x41C2.02000x41C2.0000 至 0x41C2.0200
出厂校正0x41C4.0000 至 0x41C4.00800x41C4.0000 至 0x41C4.00800x41C4.0000 至 0x41C4.0080
出厂未校正0x41C5.0000 至 0x41C5.00800x41C5.0000 至 0x41C5.00800x41C5.0000 至 0x41C5.0080
工厂 ECC 代码0x41C6.0000 至 0x41C6.00800x41C6.0000 至 0x41C6.00800x41C6.0000 至 0x41C6.0080
子系统0x6000.0000 至 0x7FFF.FFFF0x6000.0000 至 0x7FFF.FFFF0x6000.0000 至 0x7FFF.FFFF
系统 PPB0xE000.0000 至 0xE00F.FFFF0xE000.0000 至 0xE00F.FFFF0xE000.0000 至 0xE00F.FFFF
(1) 第一个 32KB 闪存（地址 0x0000.0000 至 0x0000.8000）具有高达 100000 个编程/擦除周期。