7 修订历史记录
Changes from Revision C (February 2002) to Revision D (October 2026)
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
- 添加了应用 部分Go
- 更新了说明部分中的封装信息表Go
- 删除了数据表中的 DB 封装信息Go
- 删除了原理图部分Go
- 添加了引脚配置和功能部分和引脚功能表Go
- 添加了 ESD 等级 部分Go
- 将 25°C 条件下的输入偏移电压典型值从 2mV 更改为了 0.6mVGo
- 将 25°C 条件下的输入偏移电流典型值从 30nA 更改为了 0.5nAGo
- 将输入偏移电压典型值的温度系数从 10μV/°C 更改为了 7μV/°CGo
- 将输入偏移电流典型值的温度系数从 50pA/°C 更改为了 10pA/°CGo
- 将 25°C 条件下的输入偏置电流典型值从 –0.2μA 更改为了 –0.01μAGo
- 将 MC3303 在 RL = 10kΩ 时的峰值输出电压摆幅典型值从 12.5V 更改为了 12.6VGo
- 将 MC3403 在 RL = 10kΩ 时的峰值输出电压摆幅典型值从 ±13.5V 更改为了 ±13.6VGo
- 将 MC3303 在 RL = 2kΩ 时的峰值输出电压摆幅典型值从 12V 更改为了 12.5VGo
- 将 MC3403 在 RL = 2kΩ 时的峰值输出电压摆幅典型值从 ±13V 更改为了 ±13.5VGo
- 将大信号差动电压放大增益测试条件从 RL = 2kΩ 更改为了 10kΩ，并将典型值从 200V/mV 更改为了 100V/mVGo
- 删除了最大输出摆幅带宽Go
- 将相位裕度测试条件从 CL = 200pF 更改为了 20pF，并从 CL = 2kΩ 更改为了 10MΩGo
- 将相位裕度典型值从 60° 更改为了 56°Go
- 删除了输入电阻测试条件并将典型值从 1MΩ 更改为了 10MΩGo
- 删除了输出电阻测试条件并将典型值从 75Ω 更改为了 300ΩGo
- 将共模抑制比典型值从 90dB 更改为了 80dBGo
- 将电源电压灵敏度的典型值从 30µV/V 更改为了 10µV/V，并将最大值从 150µV/V 更改为了 562µV/VGo
- 将短路输出电流典型值从 ±30mA 更改为了 ±40mA，并删除了最大值Go
- 将总电源电流典型值从 2.8mA 更改为了 0.24mAGo
- 增加了串扰衰减Go
- 将输入偏移电压典型值从 2mV 更改为了 0.6mVGo
- 将输入偏移电流典型值从 30nA 更改为了 0.5nAGo
- 将输入偏置电流典型值从 –0.2µA 更改为了 –0.01µAGo
- 将在 RL = 10kΩ 时的峰值输出电压摆幅典型值从 3.5V 更改为了 3.65VGo
- 删除了大信号差动电压放大增益最小值，并将典型值从 200V/mV 更改为了 100v/mVGo
- 将电源电压灵敏度最大值从 150µV/V 更改为了 562µV/VGo
- 将电源电流典型值从 2.5mA 更改为 0.240mAGo
- 将单位增益测试条件 CL 下的转换率从 100pF 更改为了 30pF，将 RL 从 2kΩ 更改为了 1MΩ，删除了“请参阅图 1”，并将典型值从 0.6V/μs 更改为了 0.5V/μsGo
- 将上升时间测试条件 CL 从 100pF 更改为了 30pF，将 RL 从 10kΩ 更改为了 1MΩ，并删除了“请参阅图 1”Go
- 将下降时间测试条件 CL 从 100pF 更改为了 30pF，将 RL 从 10kΩ 更改为了 1MΩ，并删除了“请参阅图 1”Go
- 将过冲因子测试条件 CL 从 100pF 更改为了 30pF，将 RL 从 10kΩ 更改为了 1MΩ，删除了“请参阅图 1”，并将典型值从 20% 更改为了 12%Go
- 删除了交越失真行Go
- 添加了参数测量信息 部分Go
- 在现有图标题中添加了旧裸片，并在典型特性部分添加了新芯片图Go
- 添加了新旧裸片比较部分Go