ZHCSAI4C August   2008  – November 2015 LMV831 , LMV832 , LMV834

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      典型应用
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性，3.3V
    6. 6.6 电气特性，5V
    7. 6.7 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 输入特性
      2. 7.3.2 EMIRR
      3. 7.3.3 EMIRR 定义
        1. 7.3.3.1 将射频信号耦合到 IN+ 引脚
        2. 7.3.3.2 手机呼叫
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 输出特性
      2. 7.4.2 CMRR 测量
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 相关链接
    4. 11.4 社区资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性，3.3V

除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件： TA = 25°C，V+ = 3.3V，V− = 0V，VCM = V+/2，且 RL = 10kΩ（连接至 V+/2）。(1)
参数 测试条件 最小值(3) 典型值(2) 最大值(3) 单位
VOS 输入偏移电压(6) TA = 25°C ±0.25 ±1 mV
–40°C ≤ TA ≤ +125°C ±1.23
TCVOS 输入偏移电压
温度漂移(6)(7) 		LMV831、
LMV832		 ±0.5 ±1.5 μV/°C
LMV834 ±0.5 ±1.7
IB 输入偏置电流(7) TA = 25°C 0.1 10 pA
–40°C ≤ TA ≤ +125°C 500
IOS 输入偏移电流 1 pA
CMRR 共模
抑制比(6) 		0.2V ≤ VCM ≤ V+ – 1.2V TA = 25°C 76 91 dB
–40°C ≤ TA ≤ +125°C 75
PSRR 电源
抑制比(6) 		2.7V ≤ V+ ≤ 5.5V，
VOUT = 1V		 TA = 25°C 76 93 dB
–40°C ≤ TA ≤ +125°C 75
EMIRR EMI 抑制比，
IN+ 和 IN–(5) 		VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)，
f = 400MHz		 80 dB
VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)，
f = 900MHz		 90
VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)，
f = 1800MHz		 110
VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)，
f = 2400MHz		 120
CMVR 输入共模
电压范围		 CMRR ≥ 65dB −0.1 2.1 V
AVOL 大信号
电压增益(8) 		RL = 2kΩ，
VOUT = 0.15V 至 1.65V，
VOUT = 3.15V 至 1.65V		 LMV831、
LMV832		 102 121 dB
LMV831、
LMV832，
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 102
LMV834 102 121
LMV834
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 102
RL = 10kΩ，
VOUT = 0.1V 至 1.65V，
VOUT = 3.2V 至 1.65V		 LMV831、
LMV832		 104 126
LMV831、
LMV832，
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 104
LMV834 104 123
LMV834
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 103
VOUT 输出电压
摆幅高位		 RL = 2kΩ（连接至 V+/2） LMV831、
LMV832		 29 36 mV（相对于任一电源轨）
LMV831、
LMV832，
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 43
LMV834 31 38
LMV834
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 44
RL = 10kΩ（连接至 V+/2） LMV831、
LMV832		 6 8
LMV831、
LMV832，
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 9
LMV834 7 9
LMV834
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 10
输出电压
摆幅低位		 R = 2kΩ（连接至 V+/2） TA = 25°C 25 34
–40°C ≤ TA ≤ +125°C 43
RL = 10kΩ（连接至 V+/2） TA = 25°C 5 8
–40°C ≤ TA ≤ +125°C 10
IOUT 输出短路
电流		 拉电流，VOUT = VCM，
VIN = 100mV		 LMV831、
LMV832		 27 28 mA
LMV831、
LMV832，
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 22
LMV834 24 28
LMV834
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 19
灌电流，VOUT = VCM，
VIN = −100mV		 TA = 25°C 27 32
–40°C ≤ TA ≤ +125°C 21
IS 电源电流 LMV831 0.24 0.27 mA
LMV831，
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 0.3
LMV832 0.46 0.51
LMV832，
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 0.58
LMV834 0.9 1
LMV834，
–40°C ≤ TA ≤ +125°C		 1.16
SR 压摆率(4) AV = +1，VOUT = 1VPP，
10% 至 90%		 2 V/μs
GBW 增益带宽
积		 3.3 MHz
Φm 相位裕度 65 度
en 输入基准
电压噪声		 f = 1kHz 12 nV/√Hz
f = 10kHz 10
in 输入基准
电流噪声		 f = 1kHz 0.005 pA/√Hz
ROUT 闭环
输出阻抗		 f = 2MHz 500 Ω
CIN 共模
输入电容		 15 pF
差分模式
输入电容		 20
THD+N 总谐波失真 + 噪声 f = 1kHz，AV = 1，BW ≥ 500kHz 0.02%
(1) 电气表的值仅适用于指示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自发热大受限制，使得 TJ = TA。电气表中未显示 TJ > TA 内部自发热条件下的参数性能规格。
(2) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。
(3) 限值均在 25°C 下经过 100% 生产检测。使用统计质量控制 (SQC) 方法通过关联指定工作温度范围的限值。
(4) 指定的数字是正压摆率和负压摆率中较低的值。
(5) EMI 抑制比被定义为 EMIRR = 20log (VRF_PEAK/ΔVOS)。
(6) 通过对分布应用绝对值变换，然后获取产生的分布的统计平均值，来计算典型值。
(7) 此参数根据设计和/或特征指定，而未经生产测试。
(8) 指定的限值表示每种输出范围条件下的测量值中的较低值。