ZHCSTT1E November   2023  – October 2025 LMK3H0102

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 接口规范
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 输出格式配置
    2. 6.2 差分电压测量术语
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件块级描述
      2. 7.3.2 器件配置控制
      3. 7.3.3 OTP 模式
      4. 7.3.4 I2C 模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 失效防护输入
      2. 7.4.2 分数输出分频器
        1. 7.4.2.1 FOD 模式运行
        2. 7.4.2.2 边缘组合器
        3. 7.4.2.3 数字状态机
        4. 7.4.2.4 展频时钟
        5. 7.4.2.5 整数边界杂散
      3. 7.4.3 输出行为
        1. 7.4.3.1 输出格式选择
          1. 7.4.3.1.1 输出格式类型
            1. 7.4.3.1.1.1 LP-HCSL 端接
        2. 7.4.3.2 输出压摆率控制
        3. 7.4.3.3 REF_CTRL 运行
      4. 7.4.4 输出使能
        1. 7.4.4.1 输出使能控制
        2. 7.4.4.2 输出使能极性
        3. 7.4.4.3 独立输出使能
        4. 7.4.4.4 输出禁用行为
      5. 7.4.5 器件默认设置
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 一次性编程序列
  9. 器件寄存器
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1  R0 寄存器(地址 = 0x0)[复位 = 0x0861/0x0863]
      2. 8.1.2  R1 寄存器(地址 = 0x1)[复位 = 0x5599]
      3. 8.1.3  R2 寄存器(地址 = 0x2)[复位 = 0xC28F]
      4. 8.1.4  R3 寄存器(地址 = 0x3)[复位 = 0x1801]
      5. 8.1.5  R4 寄存器(地址 = 0x4)[复位 = 0x0000]
      6. 8.1.6  R5 寄存器(地址 = 0x5)[复位 = 0x0000]
      7. 8.1.7  R6 寄存器(地址 = 0x6)[复位 = 0x0AA0]
      8. 8.1.8  R7 寄存器(地址 = 0x7)[复位 = 0x6503]
      9. 8.1.9  R8 寄存器(地址 = 0x8)[复位 = 0xC28F]
      10. 8.1.10 R9 寄存器(地址 = 0x9)[复位 = 0x3166]
      11. 8.1.11 R10 寄存器(地址 = 0xA)[复位 = 0x0010]
      12. 8.1.12 R11 寄存器(地址 = 0xB)[复位 = 0x0000]
      13. 8.1.13 R12 寄存器(地址 = 0xC)[复位 = 0xE800]
      14. 8.1.14 R146 寄存器(地址 = 0x92)[复位 = 0x0000]
      15. 8.1.15 R147 寄存器(地址 = 0x93)[复位 = 0x0000]
      16. 8.1.16 R148 寄存器(地址 = 0x94)[复位 = 0x0000]
      17. 8.1.17 R238 寄存器(地址 = 0xEE)[复位 = 0x0000]
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用方框图示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 示例:更改输出频率
      5. 9.2.5 串扰
      6. 9.2.6 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 上电时序
      2. 9.3.2 去耦电源输入
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RER|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

FOD 模式运行

内部 BAW 谐振器由一个或两个分数输出分频器 (FOD) 向下分频。FOD0 具有一个 SSC 发生器,FOD1 不具有 SSC 发生器。如果 OUT0 和 OUT1 都必须是 SSC 时钟,则这两个时钟必须由 FOD0 提供。如果同时需要 1 个 SSC 时钟和 1 个非 SSC 时钟,则为 SSC 时钟启用 FOD0,为非 SSC 时钟启用 FOD1。如果两个输出时钟都不需要 SSC,则可以使用任一 FOD。

注: 如果应用只需要一个 FOD,TI 建议使用 FOD0 作为默认 FOD。如果需要使用两个 FOD,则 TI 建议将 FOD0 与 OUT0 结合使用,并将 FOD1 与 OUT1 结合使用。

单个 FOD 在时钟输出处可以生成的最大频率为 200MHz,因为最小通道分频器值是 2 分频。为了生成大于 200MHz 的输出,可以使用边缘组合器,绕过通道分频器。这要求两个 FOD 均已启用并具有相同的整数分频器和分数分子值以及相同的增益校准值。当其中一个输出超过 200MHz 时,另一个输出只能选择共享 FOD 频率除以通道分频器值之一,或者是 FOD 频率。在 200MHz 以下,两个 FOD 可以独立配置,从而使 OUT0 和 OUT1 具有不同的频率。TI 建议尽可能由单个 FOD 提供源,以确保 OUT0 和 OUT1 具有确定性的相位关系。

LMK3H0102 中的 FOD 可通过 I2C 编程进行配置,以适应各种输出频率,或者在没有编程的情况下采用一次性编程 (OTP) 设置。可以通过设置整数 (FODx_N_DIV) 和分数 (FODx_NUM) 分频值来配置 FOD。表 7-3 展示了每个 FOD 的这些字段的寄存器位置。

表 7-3 FOD 整数和分子分频位置
字段 寄存器
FOD0_N_DIV R0[9:3]
FOD0_NUM[23:16] R1[15:8]
FOD0_NUM[15:0] R2[15:0]
FOD1_N_DIV R3[15:9]
FOD1_NUM[23:16] R6[12:5]
FOD1_NUM[15:0] R8[15:0]

方程式 1方程式 2 展示了一个有关如何设置整数和分子分频值的示例。

方程式 1. F O D x _ N _ D I V   =   f l o o r F B A W F F O D

其中:

  • FODx_N_DIV:FOD 分频值的整数部分(7 位,6 至 24)
  • FBAW:BAW 频率,2467MHz 加偏移,下文将对此进行进一步的详细介绍
  • FFOD:所需的 FOD 频率(100MHz 至 400MHz)

方程式 2. F O D x _ N U M   =   i n t F B A W F F O D   -   F O D x _ N _ D I V   ×   2 24

其中 FODx_NUM 是 FOD 分频值的分数部分(24 位,即 0 至 16777215)。

输出频率 (FOUT) 与 FOD 频率相关,如方程式 3 所示,或者等于启用边缘组合器时的 FOD 频率。OUTDIV 可以是 2、4、6、8、10、20 或 40。

方程式 3. F O U T =   F F O D O U T D I V  

可以使用方程式 4 来计算器件 BAW 频率的实际值。用户可以通过读取 R238 找到 BAWFREQ_OFFSET_FIXEDLUT 的值,这是一个有符号的 16 位值。

方程式 4. F B A W =   2467 M H z   ×   1   + B A W F R E Q _ O F F S E T _ F I X E D L U T   ×   128 E - 9