ZHCSTT1E November   2023  – October 2025 LMK3H0102

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 接口规范
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 输出格式配置
    2. 6.2 差分电压测量术语
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件块级描述
      2. 7.3.2 器件配置控制
      3. 7.3.3 OTP 模式
      4. 7.3.4 I2C 模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 失效防护输入
      2. 7.4.2 分数输出分频器
        1. 7.4.2.1 FOD 模式运行
        2. 7.4.2.2 边缘组合器
        3. 7.4.2.3 数字状态机
        4. 7.4.2.4 展频时钟
        5. 7.4.2.5 整数边界杂散
      3. 7.4.3 输出行为
        1. 7.4.3.1 输出格式选择
          1. 7.4.3.1.1 输出格式类型
            1. 7.4.3.1.1.1 LP-HCSL 端接
        2. 7.4.3.2 输出压摆率控制
        3. 7.4.3.3 REF_CTRL 运行
      4. 7.4.4 输出使能
        1. 7.4.4.1 输出使能控制
        2. 7.4.4.2 输出使能极性
        3. 7.4.4.3 独立输出使能
        4. 7.4.4.4 输出禁用行为
      5. 7.4.5 器件默认设置
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 一次性编程序列
  9. 8 器件寄存器
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1  R0 寄存器（地址 = 0x0）[复位 = 0x0861/0x0863]
      2. 8.1.2  R1 寄存器（地址 = 0x1）[复位 = 0x5599]
      3. 8.1.3  R2 寄存器（地址 = 0x2）[复位 = 0xC28F]
      4. 8.1.4  R3 寄存器（地址 = 0x3）[复位 = 0x1801]
      5. 8.1.5  R4 寄存器（地址 = 0x4）[复位 = 0x0000]
      6. 8.1.6  R5 寄存器（地址 = 0x5）[复位 = 0x0000]
      7. 8.1.7  R6 寄存器（地址 = 0x6）[复位 = 0x0AA0]
      8. 8.1.8  R7 寄存器（地址 = 0x7）[复位 = 0x6503]
      9. 8.1.9  R8 寄存器（地址 = 0x8）[复位 = 0xC28F]
      10. 8.1.10 R9 寄存器（地址 = 0x9）[复位 = 0x3166]
      11. 8.1.11 R10 寄存器（地址 = 0xA）[复位 = 0x0010]
      12. 8.1.12 R11 寄存器（地址 = 0xB）[复位 = 0x0000]
      13. 8.1.13 R12 寄存器（地址 = 0xC）[复位 = 0xE800]
      14. 8.1.14 R146 寄存器（地址 = 0x92）[复位 = 0x0000]
      15. 8.1.15 R147 寄存器（地址 = 0x93）[复位 = 0x0000]
      16. 8.1.16 R148 寄存器（地址 = 0x94）[复位 = 0x0000]
      17. 8.1.17 R238 寄存器（地址 = 0xEE）[复位 = 0x0000]
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用方框图示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 示例：更改输出频率
      5. 9.2.5 串扰
      6. 9.2.6 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 上电时序
      2. 9.3.2 去耦电源输入
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RER|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.1.11 R10 寄存器（地址 = 0xA）[复位 = 0x0010]

表 8-19 展示了 R10。

返回到汇总表。

表 8-13 R10 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
15 保留 R/W 0x0 保留。仅向该位写入“0”。
14:11 PROD_REVID R 不适用 产品修订版本标识符。
10 CLK_READY R 不适用 CLK_READY 状态。当 REF_CTRL 引脚用作“时钟就绪”信号时，该引脚会镜像该状态信号。
9 保留 R 不适用 保留，请勿对该字段进行写入。
8 RB_PIN_15 R 不适用 REF_CTRL 引脚的读回。
7 RB_PIN_4 R 不适用 OTP_SEL1/SDA 引脚的读回。
6 RB_PIN_3 R 不适用 OTP_SEL0/SCL 引脚的读回。
5 RB_PIN_2 R 不适用 FMT_ADDR 引脚的读回。
4 DEV_IDLE_STATE_SEL R/W 0x1

当两个输出都被禁用时，该位控制器件的行为。对于 PCIe 应用，不建议将器件置于低功耗状态，因为重新启用时钟的时间会延长。该字段存储在 EFUSE 中。

0h：当两个输出均被禁用时，输出将被静音，器件被置于低功耗状态。

1h：当两个输出均被禁用时，输出被静音。器件不进入低功耗状态。
3 PIN_RESAMPLE_DIS R/W 0x0

该位控制退出低功耗模式时器件引脚的重新采样。在低功耗模式下写入该位。除非明确需要该功能，否则 TI 建议保持该位为“1”。

0h：启用引脚重新采样。退出低功耗模式时，对 FMT_ADDR、OTP_SEL0/SCL、OTP_SEL1/SDA 和 FMT_ADDR 引脚重新采样。如果 FMT_ADDR 为高电平，则该器件进入 OTP 模式。

1h：禁用引脚重新采样。退出低功耗模式时，不对 FMT_ADDR、OTP_SEL0/SCL、OTP_SEL1/SDA 和 FMT_ADDR 引脚重新采样。器件保持在 I2C 模式。
2 OTP_AUTOLOAD_DIS R/W 0x0

该位控制器件在退出低功耗模式时的行为。在低功耗模式下写入该位。除非明确需要该功能，否则 TI 建议保持该位为“1”。

0h：启用 OTP 自动加载。退出低功耗模式时，OTP 第 0 页的内容会写入器件寄存器。

1h：禁用 OTP 自动加载。退出低功耗模式时，OTP 第 0 页的内容不会写入器件寄存器。
1 PDN R/W 0x0

向该位写入“1”会使器件进入低功耗状态。
0 保留 R/W 0x0 保留。仅向该位写入“0”。