ZHCST00A September   2023  – May 2024 LMG3522R050 , LMG3526R050

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 开关参数
      1. 6.1.1 导通时间
      2. 6.1.2 关断时间
      3. 6.1.3 漏源导通压摆率
      4. 6.1.4 零电压检测时间
    2. 6.2 安全工作区（SOA）
      1. 6.2.1 重复性安全工作区
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 LMG3522R050 功能方框图
      2. 7.2.2 LMG3526R050 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  GaN FET 操作定义
      2. 7.3.2  直接驱动 GaN 架构
      3. 7.3.3  漏源电压能力
      4. 7.3.4  内部降压/升压 DC-DC 转换器
      5. 7.3.5  VDD 偏置电源
      6. 7.3.6  辅助 LDO
      7. 7.3.7  故障保护
        1. 7.3.7.1 过流保护与短路保护
        2. 7.3.7.2 过温关断保护
        3. 7.3.7.3 UVLO 保护
        4. 7.3.7.4 高阻抗 RDRV 引脚保护
        5. 7.3.7.5 故障报告
      8. 7.3.8  驱动强度调整
      9. 7.3.9  温度传感输出
      10. 7.3.10 理想二极管模式操作
        1. 7.3.10.1 过热关断理想二极管模式
      11. 7.3.11 零电压检测 (ZVD)
    4. 7.4 启动序列
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 压摆率选择
          1. 8.2.2.1.1 使用自举高侧电源时的启动与压摆率
        2. 8.2.2.2 信号电平转换
        3. 8.2.2.3 降压/升压转换器设计
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 注意事项
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 使用隔离式电源
      2. 8.4.2 使用自举二极管
        1. 8.4.2.1 二极管选型
        2. 8.4.2.2 管理自举电压
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 焊点可靠性
        2. 8.5.1.2 电源环路电感
        3. 8.5.1.3 信号接地连接
        4. 8.5.1.4 旁路电容器
        5. 8.5.1.5 开关节点电容
        6. 8.5.1.6 信号完整性
        7. 8.5.1.7 高电压间距
        8. 8.5.1.8 热建议
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 Export Control Notice
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 引脚配置和功能

图 4-1 LMG3522R050RQS 封装 52 引脚 VQFN（顶视图）
图 4-2 LMG3526R050RQS 封装 52 引脚 VQFN（顶视图）
表 4-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 LMG3522R050 LMG3526R050
NC1 1、16 1、16 — 用于将 QFN 封装固定到 PCB 上。引脚必须焊接至 PCB 着陆焊盘。PCB 着陆焊盘是非阻焊层限定焊盘，不得与 PCB 上的任何其他金属进行物理连接。在内部连接到 DRAIN。
DRAIN 2–15 2–15 P GaN FET 漏极。在内部连接到 NC1。
NC2 17、27、43、47、52 17、27、43、47、52 — 用于将 QFN 封装固定到 PCB 上。引脚必须焊接至 PCB 着陆焊盘。PCB 着陆焊盘是非阻焊层限定焊盘，不得与 PCB 上的任何其他金属进行物理连接。内部连接至源级与散热焊盘。
源级 18-26、28–39 18-26、28–39 P GaN FET 源极。内部连接至 NC2 与散热焊盘。
VNEG 40、41 40、41 P 内部降压/升压转换器负输出。用作负电源，以便关断耗尽模式 GaN FET。利用一个 2.2µF 电容器旁接至源级。
BBSW 42 42 P 内部降压/升压转换器开关管脚。在该点与源级之间连接一个电感器。
VDD 44 44 P 器件输入电源。
IN 45 45 I 用于打开与关闭 FET 的 CMOS 兼容非反相输入。
FAULT 46 46 O 故障条件下，置位为低电平的推挽式数字输出。如需了解更多详细信息，可参阅“故障检测”部分。
OC 48 — O 在过流与短路故障条件期间置位为低电平的推挽式数字输出。如需了解更多详细信息，可参阅“故障检测”部分。
ZVD — 48 O 能够提供零电压检测信号的推挽式数字输出，用以指示器件在电流开关周期中是否实现零电压开关。如需了解更多详细信息，可参阅“零电压检测（ZVD）”。
TEMP 49 49 O 提供有关 GaN FET 温度信息的推挽式数字输出。输出一个固定的 9kHz 脉冲波形。对于器件温度，编码为波形的占空比。
RDRV 50 50 I 驱动强度选择引脚。在此引脚和 SOURCE 之间连接一个电阻器，设置导通驱动强度以控制压摆率。将该引脚连接至 SOURCE 能够启用 150V/ns，连接至 LDO5V，能够启用 100V/ns。
LDO5V 51 51 P 用于外部数字隔离器的 5V LDO 输出。如果在外部使用，请在源级上连接一个 0.1µF 或更大的电容器。
散热焊盘 — — — 散热焊盘。内部连接至源级与 NC2。
(1) I = 输入，O = 输出，P = 电源，