ZHCST00A September   2023  – May 2024 LMG3522R050 , LMG3526R050

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 开关参数
      1. 6.1.1 导通时间
      2. 6.1.2 关断时间
      3. 6.1.3 漏源导通压摆率
      4. 6.1.4 零电压检测时间
    2. 6.2 安全工作区(SOA)
      1. 6.2.1 重复性安全工作区
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 LMG3522R050 功能方框图
      2. 7.2.2 LMG3526R050 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  GaN FET 操作定义
      2. 7.3.2  直接驱动 GaN 架构
      3. 7.3.3  漏源电压能力
      4. 7.3.4  内部降压/升压 DC-DC 转换器
      5. 7.3.5  VDD 偏置电源
      6. 7.3.6  辅助 LDO
      7. 7.3.7  故障保护
        1. 7.3.7.1 过流保护与短路保护
        2. 7.3.7.2 过温关断保护
        3. 7.3.7.3 UVLO 保护
        4. 7.3.7.4 高阻抗 RDRV 引脚保护
        5. 7.3.7.5 故障报告
      8. 7.3.8  驱动强度调整
      9. 7.3.9  温度传感输出
      10. 7.3.10 理想二极管模式操作
        1. 7.3.10.1 过热关断理想二极管模式
      11. 7.3.11 零电压检测 (ZVD)
    4. 7.4 启动序列
    5. 7.5 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 压摆率选择
          1. 8.2.2.1.1 使用自举高侧电源时的启动与压摆率
        2. 8.2.2.2 信号电平转换
        3. 8.2.2.3 降压/升压转换器设计
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 注意事项
    4. 8.4 电源相关建议
      1. 8.4.1 使用隔离式电源
      2. 8.4.2 使用自举二极管
        1. 8.4.2.1 二极管选型
        2. 8.4.2.2 管理自举电压
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 焊点可靠性
        2. 8.5.1.2 电源环路电感
        3. 8.5.1.3 信号接地连接
        4. 8.5.1.4 旁路电容器
        5. 8.5.1.5 开关节点电容
        6. 8.5.1.6 信号完整性
        7. 8.5.1.7 高电压间距
        8. 8.5.1.8 热建议
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 Export Control Notice
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (September 2023)to RevisionA (May 2024)

  • 向数据表添加了 LMG3526R050 器件Go
  • 删除了 > 100V/ns 时的开关性能图Go
  • “说明”部分更新了文本内容,增加了表格。Go
  • 删除了“绝对最大额定值”、“建议运行条件”、“电气特性”以及“开关特性”部分的表格标题中“连接至参考地”表述。Go
  • 将“电气特性”部分“GaN功率晶体管”子部分中漏极漏电流规格测试条件中的“VDS = 600V”更改为“VDS = 650V”。Go
  • 在“电气特性”部分“GaN功率晶体管”子部分中增加了反向恢复电荷规格。Go
  • 将“电气特性”部分“降压/升压转换器”子部分中 VNEG 输出电压规格测试条件中的“50mA”更改为“40mA”。Go
  • “开关特性”部分的表格标题中增加了“VDS = 520V”。Go
  • 更新了“开关参数”部分第二个图表。Go
  • “安全工作区(SOA)”部分从“特性说明”部分移出。Go
  • 更新了“概述”部分的文本内容。Go
  • “漏源电压能力”部分增加了说明应用用途的内容Go
  • 更新了“VDD 辅助电源”部分的文本内容。Go
  • 更新了“故障保护”部分的标题与文本内容。Go
  • 更新了“过流保护与短路保护”部分的文本内容与第二个图表。Go
  • 增加了“高阻抗 RDRV 引脚保护”部分。Go
  • 更新了文本内容与表格,“故障报告”部分增加了表格。Go
  • 更新了“过热关断理想二极管模式”部分的文本内容。Go
  • 更新了“注意事项”部分文本内容。Go
  • 更新了使用隔离式电源一节中的文本。Go