ZHCSOZ2I July   1999  – October 2025 LM50 , LM50HV

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性：LM50（LM50B 和 LM50C）
    6. 6.6 电气特性：LM50HV
    7. 6.7 典型特性（LM50B 和 LM50C）
    8. 6.8 典型特性 (LM50HV)
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 LM50 和 LM50HV 传递函数
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 全量程摄氏温度传感器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 电容旁路和负载
          2. 8.2.1.2.2 LM50HV 自热
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
      3. 8.5.3 散热注意事项
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1.      相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.2.1.2.1 电容旁路和负载

LM50 和 LM50HV 器件能够很好地处理电容负载。LM50 和 LM50HV 无需任何特殊的预防措施，即可驱动高达 1μF 的电容负载。这些器件具有标称 2kΩ 输出阻抗（如 功能方框图 所示）。输出电阻器的温度系数约为 1300ppm/°C。考虑到该温度系数和电阻器的初始容差，器件的输出阻抗不会超过 4kΩ。在噪声极大的环境中，可能需要添加滤波以更大限度地减少噪声拾取。TI 建议在 +VS 和 GND 之间添加一个 0.1µF 电容器以旁路电源电压。可能需要在 VO 和接地端之间添加一个电容器 (CLoad)。具有 4kΩ 输出阻抗的 1µF 输出电容器形成一个 40Hz 的低通滤波器。由于 LM50 和 LM50HV 的热时间常数比 RC 形成的 25ms 时间常数慢得多，因此器件的整体响应时间不会受到显著影响。对于更大的电容器，这种额外的时间滞后会增加 LM50 和 LM50HV 的总体响应时间。

LM50 LM50HV LM50 和 LM50HV 电容负载无需去耦图 8-2 LM50 和 LM50HV 电容负载无需去耦
LM50 LM50HV 具有滤波器且适用于噪声环境的 LM50 和 LM50HV图 8-3 具有滤波器且适用于噪声环境的 LM50 和 LM50HV

为了避免启动电源（输入）响应的出现干扰，尤其是当 LM50（新芯片）和 LM50HV 器件上未使用 CBy-pass 时（如图 6-20、图 8-4 和图 8-5 所示），必须在 VO 和接地之间放置最小 CLoad，特别是当在比较器电路中使用 LM50（新芯片）和 LM50HV 器件时。

LM50 LM50HV +VS = 3.3V 阶跃时的启动响应（当 tr = 1μs、无 CLoad 和 CBy-pass 时）图 8-4 +VS = 3.3V 阶跃时的启动响应（当 tr = 1μs、无 CLoad 和 CBy-pass 时）
LM50 LM50HV +VS = 36V 阶跃时的启动响应（当 tr = 1μs，无 CLoad 和 CBy-pass 时）图 8-5 +VS = 36V 阶跃时的启动响应（当 tr = 1μs，无 CLoad 和 CBy-pass 时）

最小 CLoad 电容器随不同的工作温度范围和电源斜升速率而变化，如表 8-2 所示。请注意，上升时间 (tr) 可通过以下公式转换为电源 (SR) 的斜升速率：SR (V/μs) = 0.8 × +VS (V) / tr (μs)。

表 8-2 避免电源启动阶跃响应出现干扰过冲所需的最小 CLoad（无 CBy-pass）

负载电容

+VS = 3.3V+VS = 5V+VS = 36V
tr = 0.1μstr = 1μstr = 0.1μstr = 1μstr = 0.1μstr = 1μs
CLoad（最小值）
TA = -40°C 时		0.33nF0.33nF0.47nF0.47nF10nF10nF
CLoad（最小值）
TA = 25°C 时		0.02nF不适用0.05nF0.05nF0.68nF0.68nF
CLoad（最小值）
TA = 150°C 时		不适用不适用不适用不适用0.12nF0.12nF

图 8-6 和图 8-7 显示斜升速率约为 3.3V/μs 时 3.3V 和 36V 电源的启动阶跃响应（不使用 CBy-pass）。各图显示消除干扰过冲时空载和所需最小 CLoad 的输出响应。工作温度为 –40°C 时会发生最坏情况（如表 8-2 所示）。

LM50 LM50HV SR = 3.3V/μs 且无 CBy-pass 时，+VS = 3.3V 阶跃的启动响应（无 CLoad 且 CLoad = 0.33nF）图 8-6 SR = 3.3V/μs 且无 CBy-pass 时，+VS = 3.3V 阶跃的启动响应（无 CLoad 且 CLoad = 0.33nF）
LM50 LM50HV SR = 3.3V/μs 且无 CBy-pass 时，+VS = 36V 阶跃的启动响应（无 CLoad 且 CLoad = 10nF）图 8-7 SR = 3.3V/μs 且无 CBy-pass 时，+VS = 36V 阶跃的启动响应（无 CLoad 且 CLoad = 10nF）

注： TI 建议添加一个最小 0.1µF CBy-pass（在 +VS 和 GND 之间）和/或 0.1µF CLoad（在 VO 和 GND 之间）电容器，以避免电源噪声和干扰过冲。