ZHCSW61E April 2024 – September 2025 ISOM8110-Q1 , ISOM8111-Q1 , ISOM8112-Q1 , ISOM8113-Q1 , ISOM8115-Q1 , ISOM8116-Q1 , ISOM8117-Q1 , ISOM8118-Q1
PRODUCTION DATA
绝缘寿命预测数据是使用业界通用的时间依赖性电介质击穿 (TDDB) 测试方法收集的。在该测试中,隔离栅两侧的所有引脚都连在一起,构成了一个双端子器件并在两侧之间施加高电压;对于 TDDB 测试设置,请参阅图 9-7。绝缘击穿数据是在开关频率为 60Hz 以及各种高电压条件下在整个温度范围内收集的。对于增强型绝缘,VDE 标准要求使用故障率小于 1ppm 的 TDDB 预测线。尽管额定工作隔离电压条件下的预期最短绝缘寿命为 20 年,但是 VDE 增强认证要求工作电压具有额外 20% 的安全裕度,寿命具有额外 50% 的安全裕度,也就是说在工作电压高于额定值 20% 的条件下,所需的最短绝缘寿命为 30 年。
图 9-8 展示了隔离栅在其整个寿命期间承受高压应力的固有能力。根据 TDDB 数据,固有绝缘能力为 500VRMS,寿命为 44 年。封装尺寸、污染等级和材料组等其他因素可能会限制元件的工作电压。
图 9-7 绝缘寿命测量的测试设置
图 9-8 绝缘寿命预测数据