ZHCSW61E April   2024  – September 2025 ISOM8110-Q1 , ISOM8111-Q1 , ISOM8112-Q1 , ISOM8113-Q1 , ISOM8115-Q1 , ISOM8116-Q1 , ISOM8117-Q1 , ISOM8118-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  绝缘规格
    6. 6.6  安全相关认证
    7. 6.7  安全限值
    8. 6.8  电气特性
    9. 6.9  开关特性
    10. 6.10 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 典型应用
        1. 9.1.1.1 设计要求
        2. 9.1.1.2 详细设计过程
          1. 9.1.1.2.1 确定 RPULLUP 阻值
          2. 9.1.1.2.2 确定 RIN 阻值
        3. 9.1.1.3 应用曲线
          1. 9.1.1.3.1 绝缘寿命
    2. 9.2 电源相关建议
    3. 9.3 布局
      1. 9.3.1 布局指南
      2. 9.3.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.9 开关特性

所有规格均在 TA = 25℃ 时测得（除非另有说明）
参数 测试条件 GPN 最小值 典型值 最大值 单位
AC
tr 上升时间，请参阅图 7-2 和图 7-3 VCC = 10V，IC = 2mA，RL = 100Ω，CL = 50pF ISOM8110-Q1 3.2 μs
ISOM8113-Q1 2.5 μs
tf 下降时间，请参阅图 7-2 和图 7-3 ISOM8110-Q1 4.0 μs
ISOM8113-Q1 7.5 μs
TON 导通时间，请参阅图 7-2 和图 7-3 ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1 5.7 μs
ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1 4.5 μs
ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1 6.2 μs
ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1 16.7 μs
TOFF 关断时间，请参阅图 7-2 和图 7-3 ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1 3.6 μs
ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1 3.7 μs
ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1 3.1 μs
ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1 2.7 μs
TON 导通时间，请参阅图 7-2 和图 7-3 VCC=5V，RL=4.7kΩ，IF=1.6mA，CL=50pF ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1 3.5 μs
ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1 2.7 μs
ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1 2.1 μs
ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1 1.8 μs
TOFF 关断时间，请参阅图 7-2 和图 7-3 ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1 8 μs
ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1 9 μs
ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1 11.5 μs
ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1 13.5 μs
TON 导通时间，请参阅图 7-2 和图 7-3 VCC=5V，RL=1.9kΩ，IF=16mA，CL=50pF ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1 0.62 μs
ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1 0.56 μs
ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1 0.48 μs
ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1 0.44 μs
TOFF 关断时间，请参阅图 7-2 和图 7-3 ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1 10 μs
ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1 11 μs
ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1 12.3 μs
ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1 14.5 μs
ts 存储时间；输入开启再关闭时输出波形从 0% (100%) 变为 10% (90%) 所需的时间，请参阅图 7-3 VCC = 5V，IF = 1.6mA，RL = 4.7kΩ ISOM811x-Q1 21 μs
BW 带宽，请参阅图 7-4 和图 7-5 VIN_DC = 5V，VIN_AC = 1Vpk，RIN = 2kΩ，VCC = 5V，RLOAD = 100Ω，CL = 50pF，在 VCE –3dB 正弦波处测量 ISOM811x-Q1 680 kHz