ZHCSGQ6K March 2009 – November 2023 INA210-Q1 , INA211-Q1 , INA212-Q1 , INA213-Q1 , INA214-Q1 , INA215-Q1
PRODUCTION DATA
6.4.5 改善瞬态稳定性
警告：
涉及大输入瞬态的应用，在器件的输入引脚上出现大于 2kV 每微秒的过量 dV/dt 时，可能会导致 A 版本器件上的内部 ESD 结构受到损坏。
当这个瞬变出现在输入端时，ESD 结构接地的内部锁存会导致较大的输入瞬态，从而造成潜在损害。在有效电流在大多数电流检测应用中可用时，流经输入瞬态触发、接地短路 ESD 结构的电流会快速引起对芯片的损坏。为了避免锁存条件，可以通过外部滤波来衰减到达输入之前的瞬态信号。必须小心确保外部串联输入电阻不显著影响增益误差的精度。为达到精度要求，请尽可能将这些电阻保持在 10Ω 以下。鉴于铁氧体磁珠固有的低直流电阻值，故建议在此过滤器中使用铁氧体磁珠。建议使用直流电阻小于 10Ω 且 100MHz 至 200MHz 下电阻大于 600Ω 的铁氧体磁珠。该滤波器的推荐电容值介于 0.01µF 和 0.1µF 之间，以确保高频区域有足够的衰减。图 6-7 展示了此保护方案。
图 6-7 瞬态保护在会出现较大瞬态信号的应用中，添加这些外部元件可保护该器件。为尽可能降低添加元件的成本，可使用具有不易受到这种锁存条件影响的新 ESD 结构的 B 版本和 C 版本器件。B 版本和 C 版本器件不会保持导致损害的锁存条件，因此没有 A 版本器件所具有的瞬态灵敏度，进而更适合于这些应用。