ZHCSRZ1 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSRZ1B April 2023 – December 2025 ESD441

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DPL|2
- MPSS052A

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

5.6 电气特性

在 TA = 25°C 条件下（除非另有说明）⁽¹⁾

参数		封装	测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
V_RWM	反向关断电压	DPL 和 DPY 封装	I_IO < 100nA，在工作温度范围内		-5.5		5.5	V
I_LEAK	反向漏电流		V_IO= 5.5V，IO 至 GND 或 GND 至 IO			1	50	nA
V_BR	击穿电压		I_IO = 1mA，IO 至 GND		6	7	8	V
V_CLAMP	使用 TLP 时的钳位电压	DPL 封装	I_PP = 1A，TLP，IO 至 GND			6.3		V
			I_PP = 5A，TLP，IO 至 GND			6.5
			I_PP = 16A，TLP，IO 至 GND			7.6
			I_PP = 16A，TLP，GND 至 IO			3.8
	浪涌冲击的钳位电压 ⁽³⁾		I_PP = 6A，t_p = 8/20µs，IO 至 GND			7.6
R_DYN	动态电阻 ⁽²⁾	DPL 封装	IO 至 GND			0.1		Ω
R_DYN	动态电阻 ⁽²⁾	DPL 封装	GND 至 IO			0.16		Ω
V_CLAMP	使用 TLP 时的钳位电压	DPY 封装	I_PP = 1A，TLP，IO 至 GND			7.1		V
			I_PP = 5A，TLP，IO 至 GND			7.3
			I_PP = 16A，TLP，IO 至 GND			8.2
			I_PP = 16A，TLP，GND 至 IO			3.8
	浪涌冲击的钳位电压 ⁽³⁾		I_PP = 6A，t_p = 8/20µs，IO 至 GND			8.6
R_DYN	动态电阻 ⁽²⁾	DPY 封装	IO 至 GND			0.16		Ω
R_DYN	动态电阻 ⁽²⁾	DPY 封装	GND 至 IO			0.16		Ω
C_L	线路电容	DPL 和 DPY 封装	V_IO = 0V；ƒ = 1MHz，V_pp = 30mV，IO 至 GND 或 IO 至 GND			1		pF

(1) 典型参数在 25℃ 时测得

(2) 在 I = 10A 和 I = 20A 之间使用 TLP 特性的最小二乘拟合来提取 R_DYN

(3) 符合 IEC 61000-4-5 标准的非重复电流脉冲 8μs 至 20μs 指数衰减波形