ZHCSK46A August   2019  – April 2021 DRV8876N

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 控制模式
        1. 7.3.2.1 PH/EN 控制模式（PMODE = 逻辑低电平）
        2. 7.3.2.2 PWM 控制模式（PMODE = 逻辑高电平）
        3. 7.3.2.3 独立半桥控制模式（PMODE = 高阻抗）
      3. 7.3.3 保护电路
        1. 7.3.3.1 VM 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.3.2 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.3.3 OUTx 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.3.4 热关断 (TSD)
        5. 7.3.3.5 故障条件汇总
      4. 7.3.4 引脚图
        1. 7.3.4.1 逻辑电平输入
        2. 7.3.4.2 三电平输入
        3. 7.3.4.3 四电平输入
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 活动模式
      2. 7.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.4.3 故障模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 主要应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 功率耗散和输出电流能力
          2. 8.2.1.2.2 热性能
            1. 8.2.1.2.2.1 稳态热性能
            2. 8.2.1.2.2.2 瞬态热性能
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 备选应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 HTSSOP 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

4.5V ≤ VVM ≤ 37V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源（VCP、VM）
IVMQVM 睡眠模式电流VVM = 24V、nSLEEP = 0V、TJ = 25°C0.751µA
nSLEEP = 0V5µA
IVMVM 活动模式电流VVM = 24V，nSLEEP = 5V，
EN/IN1 = PH/IN2 = 0V		37mA
tWAKE开通时间VVM > VUVLO、nSLEEP = 5V 至活动模式1ms
tSLEEP关断时间nSLEEP = 0V 进入睡眠模式1ms
VVCP电荷泵稳压器电压VCP 相对于 VM，VVM = 24V5V
fVCP电荷泵开关频率400kHz
逻辑电平输入（EN/IN1、PH/IN2、nSLEEP）
VIL输入逻辑低电压VVM < 5V00.7V
VVM ≥ 5V00.8
VIH输入逻辑高电压1.55.5V
VHYS输入滞后200mV
nSLEEP50mV
IIL输入逻辑低电流VI = 0V-55µA
IIH输入逻辑高电流VI = 5V5075µA
RPD输入下拉电阻至 GND100kΩ
三电平输入 (PMODE)
VTIL三电平输入逻辑低电压00.65V
VTIZ三电平输入高阻抗电压4.5 V < VVM < 5.5 V0.91.01.1V
5.5V ≤ VVM ≤ 37V0.91.11.2
VTIH三电平输入逻辑高电压1.55.5V
ITIL三电平输入逻辑低电流VI = 0V–50-32µA
ITIZ三电平输入高阻抗电流VI = 1.1V-1010µA
ITIH三电平输入逻辑高电流VI = 5V113150µA
RTPD三电平下拉电阻至 GND44kΩ
RTPU三电平上拉电阻至内部 5V156kΩ
四电平输入 (IMODE)
VQI2四电平输入电平 1电压至所设置的四电平 100.45V
RQI2四电平输入电平 2电阻至 GND 至所设置的四电平 218.62021.4kΩ
RQI3四电平输入电平 3电阻至 GND 至所设置的四电平 357.66266.4kΩ
VQI4四电平输入电平 4电压至所设置的四电平 42.55.5V
RQPD四电平下拉电阻至 GND136kΩ
RQPU四电平上拉电阻至内部 5V68kΩ
开漏输出 (nFAULT)
VOL输出逻辑低电压IOD = 5mA0.35V
IOZ输出逻辑高电流VOD = 5V-22µA
驱动器输出（OUT1、OUT2）
RDS(on)_HS高侧 MOSFET 导通电阻VVM = 24V、IO = 1A、TJ = 25°C350420mΩ
RDS(on)_LS低侧 MOSFET 导通电阻VVM = 24V、IO = -1A、TJ = 25°C350420mΩ
VSD体二极管正向电压ISD = 1A0.9V
tRISE输出上升时间VVM = 24V，OUTx 上升 10% 至 90%150ns
tFALL输出下降时间VVM = 24V，OUTx 下降 90% 至 10%150ns
tPD输入至输出传播延迟EN/IN1，PH/IN2 至 OUTx，从 OUTx 至 GND 为 200Ω650ns
tDEAD输出死区时间体二极管导通300ns
保护电路
VUVLO电源欠压锁定 (UVLO)VVM 上升4.34.454.6V
VVM 下降4.24.354.5V
VUVLO_HYS电源 UVLO 迟滞100mV
tUVLO电源欠压抗尖峰脉冲时间10µs
VCPUV电荷泵欠压锁定VCP 相对于 VM，VVCP 下降2.25V
IOCP过流保护跳变点3.55.5A
tOCP过流保护抗尖峰脉冲时间3µs
tRETRY过流保护重试时间2ms
TTSD热关断温度160175190°C
THYS热关断滞后20°C
GUID-2F122A15-2D1C-49CF-87C8-5F1FDAA58CBF-low.gif图 6-1 时序参数图