ZHCSK46A August 2019 – April 2021 DRV8876N
PRODUCTION DATA
即使发生了硬短路事件,每个 MOSFET 上的模拟电流限制电路也会限制器件输出的峰值电流。
如果输出电流超过过流阈值 IOCP 且持续时间超过 tOCP,则会禁用 H 桥中的所有 MOSFET 并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。可以通过 IMODE 引脚配置过流响应,如表 7-6 中所示。
IMODE 状态 | 过流 响应 |
---|---|
RIMODE = GND | 自动重试 |
RIMODE = 高阻抗 | 输出锁闭 |
在自动重试模式下,MOSFET 会被禁用,nFAULT 引脚将在 tRETRY 的持续时间内被驱动为低电平。在 tRETRY 之后,系统会根据 EN/IN1 和 PH/IN2 引脚的状态重新启用 MOSFET。如果过流条件仍然存在,则会重复此周期,否则器件将恢复正常运行。
在锁闭模式下,会一直禁用 MOSFET 并将 nFAULT 引脚驱动为低电平,直到通过 nSLEEP 引脚或通过切断 VM 电源重置器件为止。
在Topic Link Label7.3.2.3中,OCP 行为略有改动。如果检测到过流事件,将只禁用相应的半桥并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。另一个半桥会继续正常运行。这样,器件就可以在驱动独立的负载时管理独立的故障事件。如果在两个半桥中都检测到过流事件,将同时禁用两个半桥并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。在自动重试模式下,两个半桥共享同一个过流重试计时器。如果两个半桥先后发生过流事件但 tRETRY 尚未过期,则第一个半桥的重试计时器会重置为 tRETRY;当此重试计时器过期之后,两个半桥将再次同时启用。