ZHCSMO7C June   2020  – July 2022 DRV8428

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 分度器时序要求
    7. 6.7 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 步进电机驱动器电流额定值
        1. 7.3.1.1 峰值电流额定值
        2. 7.3.1.2 均方根电流额定值
        3. 7.3.1.3 满量程电流额定值
      2. 7.3.2 PWM 电机驱动器
      3. 7.3.3 微步进分度器
      4. 7.3.4 通过 MCU DAC 控制 VREF
      5. 7.3.5 电流调节、关断时间和衰减模式
        1. 7.3.5.1 混合衰减
        2. 7.3.5.2 智能调优动态衰减
        3. 7.3.5.3 智能调优纹波控制
        4. 7.3.5.4 消隐时间
      6. 7.3.6 线性稳压器
      7. 7.3.7 逻辑电平、三电平、四电平和七电平引脚图
        1. 7.3.7.1 EN/nFAULT 引脚
      8. 7.3.8 保护电路
        1. 7.3.8.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.8.2 过流保护 (OCP)
        3. 7.3.8.3 热关断 (OTSD)
        4. 7.3.8.4 故障条件汇总
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 禁用模式（nSLEEP = 1，EN/nFAULT = 0/高阻态）
      3. 7.4.3 工作模式（nSLEEP = 1，EN/nFAULT = 1）
      4. 7.4.4 功能模式汇总
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 步进电机转速
        2. 8.2.2.2 电流调节
        3. 8.2.2.3 衰减模式
        4. 8.2.2.4 应用曲线
      3. 8.2.3 热应用
        1. 8.2.3.1 功率耗散
          1. 8.2.3.1.1 导通损耗
          2. 8.2.3.1.2 开关损耗
          3. 8.2.3.1.3 由于静态电流造成的功率损耗
          4. 8.2.3.1.4 总功率损耗
        2. 8.2.3.2 器件结温估算
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
      1. 10.1.1 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源电压（VM、DVDD）
IVMVM 工作电源电流EN/nFAULT = 1，nSLEEP = 1，无电机负载

3.8

5.6

mA
IVMQVM 睡眠模式电源电流nSLEEP = 024μA
tSLEEP休眠时间nSLEEP = 0 至睡眠模式120μs
tWAKE唤醒时间nSLEEP = 1 至输出转换0.81.2ms
tON开通时间VM > UVLO 至输出转换0.81.2ms
VDVDD内部稳压器电压无外部负载，6V < VVM < 33V4.7555.25V
无外部负载，VVM = 4.2V

3.9

4.05

V

逻辑电平输入（STEP、DIR、nSLEEP）
VIL输入逻辑低电平电压00.6V
VIH输入逻辑高电平电压1.55.5V
VHYS输入逻辑迟滞150mV
IIL输入逻辑低电平电流VIN = 0V-11μA
IIH输入逻辑高电平电流VIN = 5V100μA
三电平输入 (M0)
VI1输入逻辑低电平电压连接至 GND00.6V
VI2输入高阻态电压高阻态1.822.2V
VI3输入逻辑高电平电压连接至 DVDD2.75.5V
IO输出上拉电流10μA
四电平输入 (M1)
VI1输入逻辑低电平电压连接至 GND00.6V
VI2330kΩ ± 5% 至 GND11.251.4V
VI3输入高阻态电压高阻态1.822.2V
VI4输入逻辑高电平电压连接至 DVDD2.75.5V
IIL输出上拉电流10μA
七电平输入 (DECAY/TOFF)
VI1电压电平 1连接至 GND00.1V
VI2电压电平 214.7kΩ ± 1% 至 GND0.20.35V
VI3电压电平 344.2kΩ ± 1% 至 GND0.550.8V
VI4电压电平 4100kΩ ± 1% 至 GND11.25V
VI5电压电平 5249kΩ ± 1% 至 GND1.51.75V
VI6电压电平 6高阻态2.12.4V
VI7电压电平 7连接至 DVDD35.5V
IIL输出上拉电流22.5μA
控制输入/输出 (EN/nFAULT)
VOL输出逻辑低电平电压00.6V
RPD2内部下拉电阻2MΩ
IL泄漏电流VEN/nFAULT = 5V，故障状况375μA
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
RDS(ONH)高侧 FET 导通电阻VVM = 24V，TJ = 25°C，IO = -0.5A750875mΩ
VVM = 24V，TJ = 125°C，IO = -0.5A11301350mΩ
VVM = 24V，TJ = 150°C，IO = -0.5A12501450mΩ
RDS(ONL)低侧 FET 导通电阻VVM = 24V，TJ = 25°C，IO = 0.5A750875mΩ
VVM = 24V，TJ = 125°C，IO = 0.5A11301350mΩ
VVM = 24V，TJ = 150°C，IO = 0.5A12501450mΩ
tSR输出压摆率VVM = 24V、IO = 0.5A，在 10% 至 90% 之间240V/µs
PWM 电流控制 (VREF)
KV跨阻增益VREF = 3V2.80533.195V/A
tOFFPWM 关断时间，混合 30% 衰减DECAY/TOFF = 14.7kΩ 至 GND7 μs
DECAY/TOFF = 44.2kΩ 至 GND16
DECAY/TOFF = 100kΩ 至 GND32
PWM 关断时间，智能调优动态衰减DECAY/TOFF = 249kΩ 至 GND7
DECAY/TOFF = 高阻态16
DECAY/TOFF = 连接至 DVDD32
ΔITRIP电流跳变精度IO = 1A，10% 至 20% 电流设置-1515%
IO = 1A，20% 至 67% 电流设置-1010
IO = 1A，68% 至 100% 电流设置-6

6

IO,CHAOUT 和 BOUT 电流匹配IO = 1A-2.52.5%
保护电路
VUVLOVM UVLO 锁定VM 下降，UVLO 下降3.83.954.05V
VM 上升，UVLO 上升3.94.054.15
VUVLO,HYS欠压迟滞上升至下降阈值100mV
IOCP过流保护流经任何 FET 的电流1.7A
tOCP过流抗尖峰时间

1.8

μs
tRETRY过流重试时间

4

ms

TOTSD热关断内核温度 TJ150165180°C
THYS_OTSD热关断迟滞内核温度 TJ20°C