ZHCSYD8A June 2025 – December 2025 DRV8363-Q1
PRODUCTION DATA
该器件集成了 TDRIVE/IDRIVE 栅极驱动时序控制,用于控制开关速度,可防止外部 MOSFET 因寄生 dV/dt 栅极导致开启。可配置的上拉电流 IDRVP 和下拉电流 IDRVN 使得无需外部串联栅极电阻,即可独立调节上升和下降压摆率。在 tDRIVE_N 时间结束后,将启用强下拉电流 ISTRONG,以强力关断 MOSFET,并在半桥另一侧开关切换期间保持其关断状态。当半桥开关节点电压快速转换时,该功能有助于消除耦合到 MOSFET 栅极中的寄生电荷。