ZHCSUO9A February   2024  – July 2025 DRV8262-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
      1. 5.4.1 瞬态热阻抗和电流能力
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1  概述
    2. 6.2  功能方框图
    3. 6.3  特性说明
      1. 6.3.1 展频
    4. 6.4  器件运行模式
      1. 6.4.1 双路 H 桥模式 (MODE1 = 0)
      2. 6.4.2 单路 H 桥模式 (MODE1 = 1)
    5. 6.5  电流检测和调节
      1. 6.5.1 电流检测和反馈
      2. 6.5.2 电流调节
        1. 6.5.2.1 混合衰减
        2. 6.5.2.2 智能调优动态衰减
      3. 6.5.3 使用外部电阻器进行电流检测
    6. 6.6  电荷泵
    7. 6.7  线性稳压器
    8. 6.8  VCC 电压电源
    9. 6.9  逻辑电平、三电平和四电平引脚图
    10. 6.10 保护电路
      1. 6.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 6.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 6.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 6.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 6.10.6 nFAULT 输出
      7. 6.10.7 故障条件汇总
    11. 6.11 器件功能模式
      1. 6.11.1 睡眠模式
      2. 6.11.2 工作模式
      3. 6.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 6.11.4 功能模式汇总
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动有刷直流电机
        1. 7.1.1.1 有刷直流电机驱动器典型应用
        2. 7.1.1.2 功率损耗计算 - 双路 H 桥
        3. 7.1.1.3 功率损耗计算 - 单路 H 桥
        4. 7.1.1.4 结温估算
        5. 7.1.1.5 应用性能曲线图
      2. 7.1.2 驱动步进电机
        1. 7.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 7.1.2.2 功率损耗计算
        3. 7.1.2.3 结温估算
      3. 7.1.3 驱动热电冷却器 (TEC)
    2. 7.2 电源相关建议
      1. 7.2.1 大容量电容
      2. 7.2.2 电源
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
      2. 7.3.2 布局示例
  9. 8 封装散热注意事项
    1. 8.1 DDW 封装
      1. 8.1.1 热性能
        1. 8.1.1.1 稳态热性能
        2. 8.1.1.2 瞬态热性能
    2. 8.2 PCB 材料推荐
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1.1.2 功率损耗计算 - 双路 H 桥

对于具有高侧再循环功能的 H 桥，每个 FET 的功率损耗近似值计算如下：

  • PHS1 = RDS(ON) × IL2
  • PLS1 = 0
  • PHS2 = [RDS(ON) × IL2 × (1 – D)] + [2 × VD × IL × tD × fPWM]
  • PLS2 = [RDS(ON) × IL2 × D] + [VM × IL × tRF × fPWM]

其中，

  • RDS(ON) = 每个 FET 的导通电阻
    • 对于双路 H 桥模式下的 DRV8262-Q1，25°C 时 RDS(ON) 通常为 50mΩ，150°C 时为 85mΩ。
  • fPWM = PWM 开关频率
  • VM = 驱动器电源电压
  • IL = 电机均方根电流
  • D = PWM 占空比（介于 0 和 1 之间）

  • tRF = 输出电压上升/下降时间

    • 对于 DRV8262-Q1，上升/下降时间为 110ns
  • VD = FET 体二极管正向偏置电压
    • 对于 DRV8262-Q1，电压为 1V
  • tD = 死区时间
    • 对于 DRV8262-Q1，电压 300ns

对于估算反向负载电流的功率损耗，可采用相同的公式，仅将 HS1 与 HS2 和 LS1 与 LS2 互换。

在上面的公式中替换以下值：

  • VM = 24V
  • IL = 4A
  • RDS(ON) = 50mΩ
  • D = 0.5
  • VD = 1V
  • tD = 300ns
  • tRF = 110ns
  • fPWM = 20kHz

每个 FET 中的损耗可按以下公式计算：

PHS1 = 50mΩ × 42 = 0.8W

PLS1 = 0

PHS2 = [50mΩ × 42 x (1-0.5)] + [2 x 1V x 4A x 300ns x 20KHz] = 0.448W

PLS2 = [ 50mΩ × 42 x 0.5] + [24 x 4A x 110ns x 20kHz] = 0.611W

静态电流损耗 PQ = 24V × 5mA = 0.12W

PTOT = 2 × (PHS1 + PLS1 + PHS2 + PLS2) + PQ = 2 × (0.8 + 0 + 0.448 + 0.611) + 0.12 = 3.84W