ZHCSUO9 February   2024 DRV8262-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
      1. 5.4.1 瞬态热阻抗和电流能力
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1  概述
    2. 6.2  功能方框图
    3. 6.3  特性说明
    4. 6.4  器件运行模式
      1. 6.4.1 双路 H 桥模式 (MODE1 = 0)
      2. 6.4.2 单路 H 桥模式 (MODE1 = 1)
    5. 6.5  电流检测和调节
      1. 6.5.1 电流检测和反馈
      2. 6.5.2 电流调节
        1. 6.5.2.1 混合衰减
        2. 6.5.2.2 智能调优动态衰减
      3. 6.5.3 使用外部电阻器进行电流检测
    6. 6.6  电荷泵
    7. 6.7  线性稳压器
    8. 6.8  VCC 电压电源
    9. 6.9  逻辑电平、三电平和四电平引脚图
    10. 6.10 保护电路
      1. 6.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 6.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 6.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 6.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 6.10.6 nFAULT 输出
      7. 6.10.7 故障条件汇总
    11. 6.11 器件功能模式
      1. 6.11.1 睡眠模式
      2. 6.11.2 工作模式
      3. 6.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 6.11.4 功能模式汇总
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动有刷直流电机
        1. 7.1.1.1 有刷直流电机驱动器典型应用
        2. 7.1.1.2 功率损耗计算 - 双路 H 桥
        3. 7.1.1.3 功率损耗计算 - 单路 H 桥
        4. 7.1.1.4 结温估算
        5. 7.1.1.5 应用性能曲线图
      2. 7.1.2 驱动步进电机
        1. 7.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 7.1.2.2 功率损耗计算
        3. 7.1.2.3 结温估算
      3. 7.1.3 驱动热电冷却器 (TEC)
  9. 封装散热注意事项
    1. 8.1 DDW 封装
      1. 8.1.1 热性能
        1. 8.1.1.1 稳态热性能
        2. 8.1.1.2 瞬态热性能
    2. 8.2 PCB 材料推荐
  10. 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
    2. 9.2 电源
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

瞬态热阻抗和电流能力

基于热模拟的信息

表 5-1 瞬态热阻抗 (RθJA) 和电流能力

RθJA [°C/W](1)

配置

电流 (A)(2)

没有脉宽调制 (PWM)(3)

有脉宽调制 (PWM)(4)

0.1s

1s

10s

DC

0.1s

1s

10s

DC

10s

DC

1.8

4.7

8.4

23.3

双 H 桥(两个输出均加载相同的电流)

8

5.7

4.2

2.5

4

2.2

双 H 桥(仅一个输出加载)

8

8

6

3.5

5.4

3

单路 H 桥

16

11.3

8.4

4.9

7.9

4.4

使用 114.3mm x 76.2mm x 1.6mm 4 层 PCB 模拟 – 在顶层和底层使用 2oz 铜,在内部平面上使用 1oz 铜,16cm2 顶层和底层铜面积,在散热焊盘下方有 13 x 5 个散热过孔阵列,1.1mm 间距,0.2mm 直径,0.025mm 铜镀层。
在 85°C 环境温度下,估计结温升高至 150°C 的瞬态电流能力。
只考虑 48V 电源电压下的导通损耗 (I2R) 和静态电流损耗。根据电气特性表,考虑使用 150°C 时的最大导通电阻值计算导通损耗。
通过如下公式估计开关损耗:PSW = VVM x ILoad x fPWM x tRF,其中 VVM = 48V,fPWM = 20KHz,tRF = 110ns