ZHCSDD3 December   2014 DRV5053-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 输出状态
  5. 5 修订历史记录
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Magnetic Characteristics
    8. 7.8 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Field Direction Definition
      2. 8.3.2 Device Output
      3. 8.3.3 Power-On Time
      4. 8.3.4 Output Stage
      5. 8.3.5 Protection Circuits
        1. 8.3.5.1 Overcurrent Protection (OCP)
        2. 8.3.5.2 Load Dump Protection
        3. 8.3.5.3 Reverse Supply Protection
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 Typical Application With No Filter
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curve
      2. 9.2.2 Filtered Typical Application
        1. 9.2.2.1 Design Requirements
        2. 9.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 器件命名规则
      2. 11.1.2 器件标记
    2. 11.2 商标
    3. 11.3 静电放电警告
    4. 11.4 术语表
  12. 12机械封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11 器件和文档支持

11.1 器件支持

11.1.1 器件命名规则

Figure 17 显示了读取 DRV5053-Q1 器件完整器件名称的图例。

DRV5053-Q1 nomenclature_slis154.gifFigure 17. 器件命名规则

11.1.2 器件标记

DRV5053-Q1 package_sot_slis150.gifFigure 18. SOT-23 (DBZ) 封装
DRV5053-Q1 package_sip_slis150.gifFigure 19. SIP (LPG) 封装
DRV5053-Q1 inline_hall_sensor_slis150.gif表示霍尔效应传感器（未按比例显示）。 霍尔元件置于封装中央位置，容差为 ±100µm。 在 DBZ 封装中，霍尔元件与封装底部的距离为 0.7mm ± 50µm；在 LPG 封装中，霍尔元件与封装底部的距离为 0.987mm ± 50µm。

11.2 商标

All other trademarks are the property of their respective owners.

11.3 静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损伤。

11.4 术语表

SLYZ022 — TI 术语表。

这份术语表列出并解释术语、首字母缩略词和定义。