ZHCSN28 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSN28C March 2021 – September 2025 DLP651NE

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

FYP|149
- MCLG039

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

5.8 时序要求

在自然通风条件下的工作温度范围内和电源电压下测得（除非另有说明）

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
LVCMOS
t_r	上升时间⁽¹⁾	20% 至 80% 基准点			25	ns
t_f	下降时间 ⁽¹⁾	80% 至 20% 基准点			25	ns
低速接口 (LSIF)
t_r	上升时间⁽²⁾	20% 至 80% 基准点			450	ps
t_f	下降时间 ⁽²⁾	80% 至 20% 基准点			450	ps
t_W(H)	脉冲持续时间，高电平 ⁽³⁾	LS_CLK。50% 至 50% 基准点	3.1			ns
t_W(L)	脉冲持续时间，低电平 ⁽³⁾	LS_CLK。50% 至 50% 基准点	3.1			ns
t_su	建立时间 ⁽⁴⁾	LS_CLK 上升沿之前的 LS_WDATA 有效时间（差分）	1.5			ns
t_h	保持时间 ⁽⁴⁾	LS_CLK 上升沿之后的 LS_WDATA 有效时间（差分）	1.5			ns
高速串行接口 (HSSI)
t_r	上升时间⁽⁵⁾，数据	从 -A1 到 A1 的最低眼图高度规格	50		115	ps
t_r	上升时间⁽⁵⁾，时钟	从 -A1 到 A1 的最低眼图高度规格	50		135	ps
t_f	下降时间⁽⁵⁾，数据	从 A1 到 -A1 的最低眼图高度规格	50		115	ps
t_f	下降时间⁽⁵⁾，时钟	从 A1 到 -A1 的最低眼图高度规格	50		135	ps
t_W(H)	脉冲持续时间，高电平 ⁽⁶⁾	DCLK。50% 至 50% 基准点	0.275			ns
t_W(L)	脉冲持续时间，低电平 ⁽⁶⁾	DCLK。50% 至 50% 基准点	0.275			ns
t_c	周期时间 ⁽⁶⁾	DCLK	0.625		0.833	ns

(1) 请参阅“LVCMOS 上升、下降时间压摆率”图。相关规格针对 DMD_DEN_ARSTZ 引脚 (LVCMOS)。

(2) 请参阅图，了解 LSIF 的上升时间和下降时间。

(3) 请参阅图，了解 LSIF 的高电平和低电平脉冲持续时间。

(4) 请参阅图，了解 LSIF 的建立时间和保持时间。

(5) 请参阅图，了解 HSSI 的上升时间和下降时间。

(6) 请参阅图，了解 HSSI 的高电平和低电平脉冲持续时间以及周期时间。