ZHCSC33A February 2014 – December 2023 CSD88539ND
PRODUCTION DATA
3 说明
这款双通道 SO-8、60V、23mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 设计用于在低电流电机控制应用中充当半桥。
图 3-1 顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 60 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 7.2 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 1.1 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 27 | mΩ |
| VGS = 10V | 23 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 3.0 | V | |
订购信息(1)
| 器件 | 数量 | 介质 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD88539ND | 2500 | 13 英寸卷带 | SO-8 塑料封装 | 卷带包装 |
| CSD88539NDT | 250 | 7 英寸卷带 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 60 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 15 | A |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 11.7 | ||
| 持续漏极电流(1) | 6.3 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 46 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 2.1 | W |
| TJ，TSTG | 运行结温和储存温度范围 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID= 22A，L = 0.1mH，RG = 25Ω |
24 | mJ |
(1) RθJA = 60°C/W（典型值），在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz. 铜焊盘上
(2) 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
RDS(on) 与 VGS 之间的关系
栅极电荷