ZHCSCW3A July   2014  – May 2017 CSD75208W1015

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 CSD75208W1015 封装尺寸
    2. 7.2 建议印刷电路板 (PCB) 焊盘图案
    3. 7.3 卷带封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YZC|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 双路 P 通道 MOSFET
  • 共源配置
  • 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
  • 栅极 - 源电压钳位
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

2 应用

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

3 说明

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的 理想选择。

顶视图

CSD75208W1015 p0099-01_lps214.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 -20 V
Qg 栅极电荷总量 (-4.5V) 1.9 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.23 nC
RDS(on) 漏源
导通电阻		 VGS = –1.8V 100 mΩ
VGS = -2.5V 70 mΩ
VGS = -4.5V 56 mΩ
RD1D2（导通） 漏极到漏极
导通电阻		 VGS = -1.8V 190 mΩ
VGS = -2.5V 120 mΩ
VGS = -4.5V 90 mΩ
VGS(th) 阈值电压 -0.8 V

订购信息(1)

器件 数量 介质 封装 出货
CSD75208W1015 3000 7 英寸卷带 1.0mm × 1.5mm 晶圆级封装 卷带封装
CSD75208W1015T 250 7 英寸卷带
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 -20 V
VGS 栅源电压 -6 V
ID1D2 持续漏极到漏极电流，
TC = 25°C 时测得 		-1.6 A
脉冲漏极到漏极电流，
TC = 25°C(1) 时测得 		–22 A
IS 持续源引脚电流 –3 A
(1)脉冲源引脚电流 (2) –39 A
IG 持续栅极钳位电流 -0.5 A
脉冲栅极钳位电流(1) -7 A
PD 功率耗散 0.75 W
TJ，
Tstg 		运行结温和
储存温度范围		 -55 至 150 °C
  1. 最大 RθJA = 165ºC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
  2. 两器件并行

RD1D2（导通）与 VGS 间的关系

CSD75208W1015 graph07_draintodrain_SLPS512.png

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD75208W1015 graph07_draintosource_SLPS512.png