ZHCSGI4B August   2017  – February 2022 CSD22205L

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 6.2 Trademarks
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 CSD22205L Package Dimensions
    2. 7.2 Land Pattern Recommendation
    3. 7.3 Stencil Recommendation

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YMG|4
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。

GUID-20220215-SS0I-J8SQ-MVVT-X3NNF9TZ4LQ1-low.gifRDS(on) 与 VGS 之间的关系
GUID-20220215-SS0I-M6BF-BCTD-JNT26WDKJHDJ-low.gifRDS(on) 与 VGS 之间的关系
产品概要
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压–8V
Qg栅极电荷总量 (–4.5V)6.5nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）1.0nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = –1.5V30mΩ
VGS = –1.8V20
VGS = –2.5V11.5
VGS = –4.5V8.2
VGS(th)阈值电压–0.7V
器件信息(1)
器件数量介质封装配送
CSD22205L30007 英寸卷带1.20mm × 1.20mm
基板栅格阵列
封装		卷带包装
CSD22205LT250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压–8V
VGS栅源电压–6V
ID持续漏极电流(1)–7.4A
IDM脉冲漏极电流(2)–71A
PD功率耗散(1)0.6W
TJ、
Tstg		工作结温，
贮存温度		–55 至 150°C
(1) RθJA = 225°C/W（覆铜面积最小时的值）。
(2) 脉宽 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
GUID-20220215-SS0I-DKK9-H9FJ-MRZCHRVJ1SPS-low.gif图 3-1 顶视图和电路配置