ZHCSF65A July   2016  – January 2017 CSD19538Q2

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q2 封装尺寸
      1. 7.1.1 建议 PCB 布局
      2. 7.1.2 推荐的模版布局
    2. 7.2 Q2 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

2 应用

  • 以太网供电 (PoE)
  • 电源设备 (PSE)
  • 电机控制

3 说明

这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

顶视图
CSD19538Q2 P0108-01_LPS235.gif

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产品概要

TA=25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 4.3 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 58 mΩ
VGS = 10V 49
VGS(th) 阈值电压 3.2 V

器件信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 运输
CSD19538Q2 3000 7 英寸卷带 SON
2.00mm x 2.00mm
塑料封装		 卷带封装
CSD19538Q2T 250
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 100 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 14.4 A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 13.1
持续漏极电流(1) 4.6
IDM 脉冲漏极电流(2) 34.4 A
PD 功率耗散(1) 2.5 W
功率耗散，TC = 25°C 20.2
TJ，
Tstg 		工作结温，
储存温度		 -55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单脉冲
ID = 12.6A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 8 mJ
  1. RθJA = 50°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 6.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

RDS(on) 与 VGS 对比

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中的测试电压 VDS 从 100V 更改为 50V

栅极电荷

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