ZHCSF65B July   2016  – March 2024 CSD19538Q2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4.   说明
  5. 3Specifications
    1. 3.1 Electrical Characteristics
    2. 3.2 Thermal Information
    3. 3.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 4Device and Documentation Support
    1. 4.1 第三方产品免责声明
    2. 4.2 接收文档更新通知
    3. 4.3 支持资源
    4. 4.4 Trademarks
    5. 4.5 静电放电警告
    6. 4.6 术语表
  7. 5Revision History
  8. 6Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

摘要

这款 100V 49mΩ 2mm x 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

CSD19538Q2 顶视图图 3-1 顶视图
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 4.3 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 0.8 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 58 mΩ
VGS = 10V 49
VGS(th) 阈值电压 3.2 V
器件信息(1)
器件数量介质封装运输
CSD19538Q230007 英寸卷带无引线小外形尺寸 (SON)
2.00mm x 2.00mm
塑料封装		卷带包装
CSD19538Q2T250
CSD19538Q2R 10,000 13 英寸卷带
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压100V
VGS栅源电压±20V
ID持续漏极电流（受封装限制）14.4A
持续漏极电流（受器件限制），TC = 25°C 时测得13.1
持续漏极电流(1)4.6
IDM脉冲漏极电流(2)34.4A
PD功率耗散(1)2.5W
功率耗散，TC = 25°C20.2
TJ、
Tstg		工作结温，
贮存温度		-55 至 150°C
EAS雪崩能量，单脉冲
ID = 12.6A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		8mJ
(1) 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上 1 平方英寸、2oz. 铜焊盘上的 RθJA = 50°C/W（典型值）。
(2) 最大 RθJC = 6.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
CSD19538Q2 RDS(on) 与 VGS 之间的关系RDS(on) 与 VGS 之间的关系
CSD19538Q2 栅极电荷栅极电荷